エレクトロルミネッセンス材料、その製造方法及びエレクトロルミネッセンス素子

開放特許情報番号
L2010006147
開放特許情報登録日
2010/12/3
最新更新日
2010/12/3

基本情報

出願番号 特願2008-189418
出願日 2008/7/23
出願人 国立大学法人埼玉大学
公開番号 特開2010-027480
公開日 2010/2/4
発明の名称 エレクトロルミネッセンス材料、その製造方法及びエレクトロルミネッセンス素子
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 エレクトロルミネッセンス材料、エレクトロルミネッセンス素子、非晶質薄膜
目的 高い白色発光効率を有し、輝度の低下が少ないエレクトロルミネッセンス材料、及び、簡便かつ局所的に非晶質薄膜を形成することができるエレクトロルミネッセンス材料の製造方法の提供。
効果 高い白色発光効率を有し、輝度の低下が少ないエレクトロルミネッセンス材料、及び、簡便かつ局所的に非晶質薄膜を形成することができるエレクトロルミネッセンス材料の製造方法を提供することが可能となる。
技術概要
この技術では、所定の基板上又は基板上に必要に応じて形成した中間層上の少なくとも一箇所に、非晶質SiO↓xC↓y(x≧0、y≧0、x+y=2)薄膜を形成してなることを特徴とするエレクトロルミネッセンス材料を提供する。非晶質SiO↓xC↓y薄膜のxの値は、0.2〜0.8の範囲とする。非晶質SiO↓xC↓y薄膜は、テトラエトキシシランを原料として形成してなるものとする。非晶質SiO↓xC↓y薄膜のサイズは、0.1〜10mm↑2の範囲とする。所定の基板は、ガラス又はポリマーからなる透明基板とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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