| 出願番号 |
特願2007-533140 |
| 出願日 |
2006/7/28 |
| 出願人 |
国立大学法人富山大学 |
| 公開番号 |
WO2007/026490 |
| 公開日 |
2007/3/8 |
| 登録番号 |
特許第5135582号 |
| 特許権者 |
国立大学法人富山大学 |
| 発明の名称 |
パラジウム錯体及びその製造方法、触媒並びに反応方法 |
| 技術分野 |
化学・薬品 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
パラジウム錯体、及び触媒 |
| 目的 |
酸素の存在下であっても、十分な保存安定性を有するとともに高い触媒活性を維持可能なパラジウム錯体及びこれを含有する触媒を提供する。また、パラジウム錯体を得ることが可能なパラジウム錯体の製造方法、及び、この製造方法において好適に用いられるホスフィンカルコゲニド化合物の製造方法を提供する。更には、パラジウム錯体を触媒として用いながら、酸素の存在下であっても高い効率で反応を進行させることが可能な反応方法を提供する。 |
| 効果 |
パラジウム錯体及びこれを含有する触媒は、酸素の存在下であっても、十分な保存安定性を有するとともに高い触媒活性を維持可能である。このパラジウム錯体の製造方法では、酸素の存在下であっても、十分な保存安定性を有するとともに高い触媒活性を維持可能なパラジウム錯体が効率的に得られる。 |
技術概要
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Ｐｄ（０）と、式Ｉ（図１）［式中、Ｘは硫黄原子、セレン原子又はテルル原子を示す。］で表されるホスフィンカルコゲニド基を有するホスフィンカルコゲニド化合物を含む配位子と、を有するパラジウム錯体である。ホスフィンカルコゲニド化合物が、式ＩＩ（図２）［Ｒ↑１は１価の有機基を示し、Ｒ↑２は２価の有機基を示し、Ｒ↑３は水素原子又は１価の有機基を示し、Ｘは硫黄原子、セレン原子又はテルル原子を示し、同一分子中の複数のＲ↑１、Ｒ↑２及びＸはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］の（１）、（２）、（３）又は（４）で表される化合物である、パラジウム錯体である。また、モル吸光係数が５０００Ｍ↑−↑１ｃｍ↑−↑１を超える吸収を４５０〜７００ｎｍの波長域に有する、パラジウム錯体である。また、このパラジウム錯体を含有する触媒である。また、この触媒の存在下で化学反応を進行させる、反応方法であって、さらに、化学反応が炭素−炭素カップリング反応である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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