パラジウム錯体及びその製造方法、触媒並びに反応方法

開放特許情報番号
L2010006094
開放特許情報登録日
2010/11/26
最新更新日
2013/1/21

基本情報

出願番号 特願2007-533140
出願日 2006/7/28
出願人 国立大学法人富山大学
公開番号 WO2007/026490
公開日 2007/3/8
登録番号 特許第5135582号
特許権者 国立大学法人富山大学
発明の名称 パラジウム錯体及びその製造方法、触媒並びに反応方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 パラジウム錯体、及び触媒
目的 酸素の存在下であっても、十分な保存安定性を有するとともに高い触媒活性を維持可能なパラジウム錯体及びこれを含有する触媒を提供する。また、パラジウム錯体を得ることが可能なパラジウム錯体の製造方法、及び、この製造方法において好適に用いられるホスフィンカルコゲニド化合物の製造方法を提供する。更には、パラジウム錯体を触媒として用いながら、酸素の存在下であっても高い効率で反応を進行させることが可能な反応方法を提供する。
効果 パラジウム錯体及びこれを含有する触媒は、酸素の存在下であっても、十分な保存安定性を有するとともに高い触媒活性を維持可能である。このパラジウム錯体の製造方法では、酸素の存在下であっても、十分な保存安定性を有するとともに高い触媒活性を維持可能なパラジウム錯体が効率的に得られる。
技術概要
Pd(0)と、式I(図1)[式中、Xは硫黄原子、セレン原子又はテルル原子を示す。]で表されるホスフィンカルコゲニド基を有するホスフィンカルコゲニド化合物を含む配位子と、を有するパラジウム錯体である。ホスフィンカルコゲニド化合物が、式II(図2)[R↑1は1価の有機基を示し、R↑2は2価の有機基を示し、R↑3は水素原子又は1価の有機基を示し、Xは硫黄原子、セレン原子又はテルル原子を示し、同一分子中の複数のR↑1、R↑2及びXはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。]の(1)、(2)、(3)又は(4)で表される化合物である、パラジウム錯体である。また、モル吸光係数が5000M↑−↑1cm↑−↑1を超える吸収を450〜700nmの波長域に有する、パラジウム錯体である。また、このパラジウム錯体を含有する触媒である。また、この触媒の存在下で化学反応を進行させる、反応方法であって、さらに、化学反応が炭素−炭素カップリング反応である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 このホスフィンカルコゲニド化合物の製造方法では、パラジウム錯体の配位子として有用なホスフィンカルコゲニド化合物を、穏やかな条件下で容易に生成させることができる。また、パラジウム錯体又はこれ以外のパラジウム錯体の分解等に伴って生じたホスフィンオキシド化合物を原料として用いることにより、配位子として有用なホスフィンカルコゲニド化合物を再生させることが可能になる。
改善効果2 この反応方法では、パラジウム錯体が触媒として作用する反応を、酸素の存在下であっても高い効率で進行させることが可能である。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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