| 出願番号 |
特願2006-193430 |
| 出願日 |
2006/7/13 |
| 出願人 |
国立大学法人富山大学 |
| 公開番号 |
特開2008-020373 |
| 公開日 |
2008/1/31 |
| 登録番号 |
特許第5150893号 |
| 特許権者 |
国立大学法人富山大学 |
| 発明の名称 |
酸化還元物質の信号増幅検出方法及びその測定装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
検査・検出 |
| 適用製品 |
酸化還元物質の信号増幅検出測定装置 |
| 目的 |
酸化還元物質と導電性材料との間に電子授受させることにより高感度に応答し、測定電位の安定性に優れた酸化還元物質の信号増幅検出方法及びその測定装置を提供する。 |
| 効果 |
ゲート部に金膜等の導電性層を形成したので、液中および気体中に存在する酸化還元物質の電子授受能力の評価や、物質が既知である場合はその濃度を高感度に測定できる。また酸化還元酵素反応を、導電性層と酵素との間接電子移動（電子メディエータを介する）あるいは直接電子移動により観測できる。 |
技術概要
 |
半導体基板にソース電極部とドレイン電極部とその間にゲート部とを備えた酸化還元物質測定装置は、ゲート部が、半導体基板上に絶縁層と導電性層と測定溶液又は測定ガスの注入部とをその順に有している。ゲート部は、導電性層に酸化還元酵素を固定化してある。測定溶液又は測定ガスの注入部に参照電極を配設してこの参照電極と半導体基板との間にゲート電圧を印加し、注入部に注入した検体によるソース電極とドレイン電極との間の出力変化を測定する。シリコン半導体等のｐ型半導体基板にｎ型部２１ａのソース電極２１とｎ型部２２ａのドレイン電極２２とを設けたｎｐｎ型チャンネルになっている。ソース電極２１とドレイン電極２２との間のゲート部１０はｐ−Ｓｉの半導体基板上にＳｉＯ↓２膜等の約５０ｎｍ絶縁第一層１３とその上にＳｉ↓３Ｎ↓４等の約７０ｎｍ絶縁第二層１２を形成し、さらにその上に金膜等の導電性層を形成してある。金膜はスパックリング方法にて約５０ｎｍの薄膜層となっている。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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