表面電荷量計測装置及び表面電荷量計測方法

開放特許情報番号

L2010006073

開放特許情報登録日

2010/11/26

最新更新日

2012/3/2

基本情報

出願番号	特願2006-187105
出願日	2006/7/6
出願人	国立大学法人富山大学
公開番号	特開2008-014832
公開日	2008/1/24
登録番号	特許第4910132号
特許権者	国立大学法人富山大学
発明の名称	表面電荷量計測装置及び表面電荷量計測方法
技術分野	その他
機能	検査・検出
適用製品	表面電荷量計測装置
目的	試料の表面における電荷量を簡便に計測することが可能な表面電荷量計測装置及び表面電荷量計測方法を提供する。
効果	試料の表面における電荷量を簡便に計測することが可能な表面電荷量計測装置及び表面電荷量計測方法を提供できる。
技術概要	荷電した複数のプローブ粒子を上方に浮遊させて荷電試料の表面での電荷量を計測する表面電荷量計測装置は、複数のプローブ粒子の位置分布を算出する位置分布算出手段と、位置分布に基づいて試料表面での電荷量を算出する電荷量算出手段と、を備える。表面上方を浮遊するプローブ粒子Ｐを用いて試料２１の表面２１ａでの電荷量を計測する表面電荷量計測装置１Ａであって、光源２と、プローブ粒子Ｐの像（プローブ像）を得る結像光学系３と、プローブ像を撮像してプローブ画像を得る撮像装置４と、プローブ画像からプローブ粒子Ｐの位置分布を取得し、当該位置分布から試料２１の表面２１ａでの電荷量を計測する画像処理装置１０とを備える。画像処理装置１０は、予め格納されたプローブ画像におけるプローブ粒子Ｐの大きさを規定する値である直径とプローブ粒子Ｐの試料Ｓ表面からの距離との関係を示す校正データと撮像装置４によって撮像されたプローブ粒子Ｐの直径とに基づいて、プローブ粒子Ｐの位置分布を得る。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立大学法人富山大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】