スパッタリング装置

開放特許情報番号
L2010006022
開放特許情報登録日
2010/11/19
最新更新日
2012/12/19

基本情報

出願番号 特願2008-334311
出願日 2008/12/26
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2010-156015
公開日 2010/7/15
登録番号 特許第5131665号
特許権者 学校法人金沢工業大学
発明の名称 スパッタリング装置
技術分野 金属材料、電気・電子、機械・加工
機能 材料・素材の製造、表面処理、機械・部品の製造
適用製品 スパッタリング装置、回転陰極を有するスパッタリング装置、薄膜形成装置、組成の異なる合金薄膜、多成分薄膜
目的 スパッタリング装置を用いて2種以上の金属元素を含む薄膜を基材上に形成しようとする場合、ターゲットとして合金或は金属の混合物を用いる場合、組成がターゲットの組成で固定され、任意の組成比に制御できないという問題がある。又、異なる種類の金属或は金属化合物ターゲット等が設置された複数の陰極を用い夫々からスパッタリングされる金属の割合を制御することで薄膜の組成を制御する場合、薄膜面内で組成の均一性を得ることが困難である。そこで、生産性の低下を抑えつつ組成の異なる或は多成分薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
効果 このスパッタリング装置は、複数の金属材料供給手段としての補助陰極により互いに異なる金属材料を回転陰極の表面に供給できるため、回転陰極上に合金のターゲット材料を成膜することができる。また、補助陰極の回転陰極に対する金属材料の供給条件を夫々制御することで、回転陰極上の合金ターゲットの成分比を任意に変化させることも可能となる。また、スパッタリングされたターゲット材料と反応して化合物を形成する反応性ガス供給路を備え、反応により、異なる2種以上の成分を含む化合物を形成することが可能である。
技術概要
スパッタリング装置、特に回転陰極を有するスパッタリング装置に関する。このスパッタリング装置10は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ12と、このチャンバ12内で基材14を保持する保持部16と、この保持部16で保持された基材14に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極18であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極18と、この回転陰極18の表面に薄膜材料である金属材料を供給可能な複数の補助陰極320,330と、を備える。この複数の補助陰極(材料供給手段)320,330は、互いに異なる金属材料を回転陰極18の表面に供給する。また、スパッタリングされたターゲット材料と反応して化合物を形成する反応性ガスを、保持部と回転陰極との間の空間に供給する反応性ガス供給路を更に備えることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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