スパッタリング装置

開放特許情報番号
L2010006021
開放特許情報登録日
2010/11/19
最新更新日
2013/2/15

基本情報

出願番号 特願2008-334310
出願日 2008/12/26
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2010-156014
公開日 2010/7/15
登録番号 特許第5142111号
特許権者 学校法人金沢工業大学
発明の名称 スパッタリング装置
技術分野 金属材料、機械・加工
機能 材料・素材の製造、表面処理、機械・部品の製造
適用製品 スパッタリング装置、回転陰極を有するスパッタリング装置、薄膜形成装置、金属化合物薄膜、酸化チタン薄膜、酸化シリコン薄膜
目的 金属材料からなるターゲットを用いて化合物薄膜を形成するスパッタリングにおいて発生するスパッタリング率の低下、ひいては薄膜堆積速度の低下は、特に酸素ガスを反応性ガスとする場合に顕著である。そこで、化合物薄膜の生産性を向上するスパッタリング装置を提供する。
効果 回転陰極に印加される電力の位相と、スパッタリング陰極に印加される電力の位相とを異にすることにより、スパッタリング陰極から回転陰極に向かってスパッタされたターゲット材料が逆スパッタされることが抑制され、スパッタリング効率が向上する。さらに、この装置によると、製品におけるコストの低減および高品質なシリコン薄膜の形成にも大きく貢献する。
技術概要
この技術は、スパッタリング装置、特に回転陰極を有するスパッタリング装置に関する。このスパッタリング装置10は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ12と、このチャンバ内で基材14を保持する保持部16と、この保持部16で保持された基材に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極18と、この回転陰極18の表面に金属材料を供給可能な補助陰極20と、保持部16が設けられた成膜室22と金属材料供給室24との間のガスの移動を規制するガス遮蔽部材30と、成膜室22に接続され、スパッタリングされたターゲット材料と反応して金属化合物を形成する反応性ガスを供給する反応性ガス供給路32と、を備える。補助陰極20は、スパッタリングされた回転陰極18の表面にターゲット材料と同種の金属材料を新たに供給する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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