強磁性半導体素子及び強磁性半導体の制御方法

開放特許情報番号
L2010005990
開放特許情報登録日
2010/11/19
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2009-080616
出願日 2009/3/27
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2010-232562
公開日 2010/10/14
登録番号 特許第5286502号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 強磁性半導体素子
技術分野 情報・通信、電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 強磁性半導体素子
目的 この発明は、室温下での動作が可能な強磁性半導体素子及びその制御方法を提供する。
効果 この発明によれば、遷移元素ドープ二酸化チタンからなる強磁性半導体を電界により室温下で制御し、強磁性半導体のキャリア濃度を制御することができる。従って、情報の読み取り及び書き込みの処理を室温状態で行うことができる。
技術概要
従来の強磁性体素子では、強磁性体のミクロな磁区構造と情報とを対応させている。このため磁区構造の保持には電力は不要で、省電力化に適している。一方、情報の書換え、即ち、磁区構造を変化させるには、外部から磁場を印加するか大きな電流を流す必要がある。外部磁場の発生には磁石を必要とするため、集積化が容易でなく大電流を流すので省電力化にも向かない。そのため、Mnをドープした、InAsやGaAsなどが検討されたが、キューリー温度が60K,170Kであるためデバイスを室温下で動作させることが不可能であった。この発明の強磁性半導体素子は、室温下での動作させることが可能なもので、基板と、基板上に設けた二酸化チタン層と、二酸化チタン層上に設けた遷移元素ドープ二酸化チタン層と、遷移元素ドープ二酸化チタン層上に設けた電解液と、電解液と接触するよう設けたゲート電極とを含む。電解液は、CsCl↓4、Sr(ClO↓4)↓2、KClO↓4、NaClO↓4、LiClO↓4の一以上の電解質を溶媒に溶解したものである。ゲート電極へのゲート電圧印加の有無に応じて、遷移元素ドープ二酸化チタン層の強磁性の強さが変化する。遷移元素はコバルトが好ましい。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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