静磁波素子および静磁波変調装置

開放特許情報番号
L2010005925
開放特許情報登録日
2010/11/12
最新更新日
2010/11/12

基本情報

出願番号 特願2007-163440
出願日 2007/6/21
出願人 国立大学法人豊橋技術科学大学
公開番号 特開2009-003150
公開日 2009/1/8
発明の名称 静磁波素子および静磁波変調装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 光アイソレーター、マイクロ波制御デバイス、信号処理デバイス
目的 静磁波を用いて高周波や光信号を変調する素子あるいは装置において、磁性材料に任意の磁区パターンを形成することにより、静磁波の励起波長を制御可能とした技術の提供。
効果 この技術によれば、YIG基板あるいはYIG膜の表面付近に形成される磁区を制御することができ、静磁波の励起波長を制御することが可能となる。
技術概要
この技術は、YIG基板あるいは弾性体基板上に形成されたYIG膜と、YIG基板あるいはYIG膜の表面に周期的に形成された導電性金属パターンとからなり、導電性金属パターンに、直流電流あるいは交流電流を流すことを特徴とする静磁波素子により構成される。この構成によれば、YIG基板あるいはYIG膜に導電性の金属パターンが形成され、この金属パターンに電流を流すことにより、YIG基板あるいはYIG膜表面付近に周期的な磁区構造が形成され、静磁波の励起波長を制御することができる。また、この技術は、高周波入力手段と高周波出力手段をさらに備え、導電性金属パターンは、高周波入力手段と高周波出力手段の間に設置されている。この構成によれば、導電性金属パターンが高周波入力手段と高周波出力手段の間に配置されるため、高周波の変調か可能な静磁波変調装置を構成することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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