半導体基板上の積層構造

開放特許情報番号
L2010005924
開放特許情報登録日
2010/11/12
最新更新日
2013/5/22

基本情報

出願番号 特願2007-152277
出願日 2007/6/8
出願人 国立大学法人豊橋技術科学大学
公開番号 特開2008-306009
公開日 2008/12/18
登録番号 特許第5228158号
特許権者 国立大学法人豊橋技術科学大学
発明の名称 半導体基板上の積層構造
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 超音波センサ、赤外線センサ、記憶素子、アクチュエータ
目的 超音波センサや赤外線センサ等の各種センサに利用される、強誘電体薄膜を用いた半導体基板上の積層構造であって、(110)に配向したPt膜を用いることにより、優れた特性の強誘電体素子の積層構造の提供。
効果 この技術によれば半導体基板上に、LaNiO↓3薄膜を用いることでその上部のPt薄膜を(110)配向させる。これにより、(110)に配向したPb(Zr,Ti)O↓3薄膜を得ることができる。この(110)に配向したPb(Zr,Ti)O↓3薄膜は、これまでの(111)や(100)に配向した薄膜と比較して、優れた強誘電特性や焦電特性を示すため、センサ、アクチュエータ、不揮発性記憶素子の特性をバルクセラミクス以上に改善することができる。
技術概要
この技術は、半導体基板上にLaNiO↓3(LNO)薄膜を有し、このLNO膜上部にさらに(110)配向したPt薄膜を備えることを特徴とする半導体基板上の積層構造を提供する。この構成によれば、半導体基板上にLNO薄膜を形成しその上部にPt膜を形成することで(111)に配向しやすいPt膜を(110)に配向させて形成することができる。また、この技術は、半導体基板とLNO薄膜との間にバッファ層を有しており、この構成によれば、バッファ層により半導体基板とLNO薄膜との反応を抑制できる。このバッファ層は絶縁体が好ましく、これによれば絶縁体を利用することでLNO薄膜と半導体基板との電気的絶縁がなされ、半導体基板上の積層構造の作製が容易となる。更に、バッファ層は、エピタキシャル成長したγ−Al↓2O↓3薄膜が好適で、エピタキシャル成長したγ−Al↓2O↓3薄膜を利用することでより高品質なLNO薄膜を容易に得ることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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