半導体基板上の積層構造

開放特許情報番号
L2010005919
開放特許情報登録日
2010/11/12
最新更新日
2013/5/22

基本情報

出願番号 特願2007-066393
出願日 2007/3/15
出願人 国立大学法人豊橋技術科学大学
公開番号 特開2008-227345
公開日 2008/9/25
登録番号 特許第5228188号
特許権者 国立大学法人豊橋技術科学大学
発明の名称 半導体基板上の積層構造
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 焦電特性、圧電特性、超音波センサ、赤外線センサ
目的 強誘電体薄膜の下部電極としての導電性酸化物薄膜を、γ−Al↓2O↓3単結晶膜をバッファ層として用い、成膜条件を最適化することにより、特性の改善を図った強誘電体素子の提供。
効果 この技術は、半導体基板上に、バッファ層としてγ−Al↓2O↓3単結晶膜を用い、その上に各薄膜を形成する構成であるため、各薄膜の結晶性を向上させることができる。また、強誘電体薄膜の下部電極の酸化物電極薄膜の結晶性を向上させることにより、優れた特性を持つ強誘電体薄膜を得ることができる。
技術概要
この技術は、半導体基板上にエピタキシャル成長されたγ−Al↓2O↓3単結晶膜を有し、γ−Al↓2O↓3単結晶膜上に、ペロブスカイト構造の擬立方晶の金属酸化物層ABO↓3(Aは、Sr、Laからなる群より選ばれる少なくとも1種、Bは、Ru、Niからなる群より選ばれる少なくとも1種)を有する酸化物電極薄膜をさらに備えることを特徴とする半導体基板上の積層構造を有する。この構成によれば、半導体基板上にエピタキシャル成長されたγ−Al↓2O↓3単結晶膜の上に酸化物電極薄膜を形成するため、酸化物電極薄膜の結晶性を良好なものとすることができる。また、γ−Al↓2O↓3単結晶膜の上に酸化物電極薄膜を形成するため、γ−Al↓2O↓3単結晶膜と酸化物電極薄膜との密着性を向上させることができる。なお、擬立方晶とは、斜方晶の中に立方晶を2つ重ねた構造をもつ結晶構造のことである。また、この技術では、酸化物電極薄膜上に、配向性の強誘電体薄膜を積層させている。この構成によれば、配向性の強誘電体薄膜を形成することができるため、特性の優れた強誘電体薄膜を得ることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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