窒化物半導体基板及びその製造方法

開放特許情報番号
L2010005913
開放特許情報登録日
2010/11/12
最新更新日
2010/11/12

基本情報

出願番号 特願2003-295341
出願日 2003/8/19
出願人 国立大学法人豊橋技術科学大学
公開番号 特開2005-060195
公開日 2005/3/10
登録番号 特許第3890416号
特許権者 国立大学法人豊橋技術科学大学
発明の名称 窒化物半導体基板及びその製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 電力用半導体素子、高周波パワー電送、自動車産業、無線通信、宇宙開発事業
目的 青色、緑色、及び白色発光ダイオード等の発光デバイスとして使用されるGaN系化合物半導体等を用いた窒化物半導体基板及びその製造方法において、窒化物半導体層の反りを防ぎ、低価格で量産可能な窒化物半導体基板の提供。
効果 この技術によれば、窒化物半導体と熱膨張係数の近いセラミック基板上に窒化物半導体層を形成することにより、熱膨張係数の差に起因する窒化物半導体層の反りを防ぎ、低価格で量産可能な窒化物半導体基板を実現することができる。
技術概要
この技術の窒化物半導体基板は、グラッシーカーボン、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素、及び窒化アルミニウム焼結体からなる群から選択される少なくとも1種からなるセラミック基板、その一主面側に含まれ、一般式(1)で表される多結晶または非晶質の窒化物層である接合層〔(Al↓xGa↓(1−x))↓(1−y)In↓yN (0≦x≦1,0≦y≦1)…(1)〕及び接合層上に融着された、一般式(1)で表される窒化物半導体層、を具備する。また、この技術の窒化物半導体層の製造方法は、単結晶基板上に、一般式(1)で表される窒化物半導体層を結晶成長する工程、その一主面に一般式(1)で表される多結晶または非結晶の接合層を有する、グラッシーカーボン、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素、及び窒化アルミニウム焼結体からなる群から選択される少なくとも1種からなるセラミック基板を、窒化物半導体層上に、接合層を介して融着させる工程、及び単結晶基板と窒化物半導体層間を剥離する工程を具備する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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