構造体の製造方法、および構造体

開放特許情報番号

L2010005895

開放特許情報登録日

2010/11/12

最新更新日

2015/10/1

基本情報

出願番号	特願2010-188665
出願日	2010/8/25
出願人	独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号	特開2012-048912
公開日	2012/3/8
登録番号	特許第5559640号
特許権者	国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称	構造体の製造方法
技術分野	機械・加工
機能	機械・部品の製造、その他
適用製品	構造体
目的	良好なフレキシブル性を有する構造体の製造方法などを提供する。
効果	良好なフレキシブル性を有する構造体の製造方法、構造体を提供できる。酸化スズの微細構造体を所望のパターンに形成することができる構造体の製造方法、構造体を提供できる。
技術概要	基材と、基材上に設けられる導電膜と、導電膜上に設けられる酸化スズの微細構造体とを備える構造体の製造方法は、基材としてＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などの高分子基材を用いる。導電膜の表面の一部を表面処理し、所定のスズイオン含有溶液に対して濡れ性の異なる領域を導電膜の表面に設けた後に、導電膜の表面をスズイオン含有溶液に接触させ、スズイオン含有溶液から酸化スズのナノ結晶を濡れ性の高い領域に選択的に析出成長させて、酸化スズの微細構造体を形成する。表面処理は、露光処理である。導電膜の種類は、例えば、ＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）膜、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）膜などが挙げられる。導電膜は、酸化スズの微細構造体との密着性を向上するため、酸化スズを含んでいることが好ましい。基材と、基材上に設けられる導電膜と、導電膜上に設けられる酸化スズの微細構造体とを備える構造体において、基材は高分子基材である。酸化スズの微細構造体は、所定のパターンに形成されている。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】