白色蛍光体薄膜及びその製造方法並びに発光装置

開放特許情報番号
L2010005894
開放特許情報登録日
2010/11/12
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2010-188266
出願日 2010/8/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-046590
公開日 2012/3/8
登録番号 特許第5674005号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 白色蛍光体薄膜及びその製造方法並びに発光装置
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 白色蛍光体薄膜及び発光装置
目的 照明・光源、ディスプレイ用等の薄膜エレクトロルミネッセンスデバイスに用いる蛍光体薄膜として、化学的安定性に優れかつ白色の蛍光特性を有するペロブスカイト型酸化物蛍光体薄膜を提供する。
効果 ぺロブスカイト型酸化物のCaTiO↓3薄膜にBi元素を添加することにより、演色性の優れた白色蛍光体薄膜を得ることができる。
技術概要
ペロブスカイト型酸化物の白色蛍光体薄膜の製造方法は、CaTiO↓3に、Bi元素を0.1〜0.4原子%添加したペロブスカイト型酸化物をターゲット材料として、基板上に、エピタキシャル成長により薄膜を形成する。600〜1000℃の温度で、200〜1000mTorrの酸素圧雰囲気で、パルスレーザー堆積法によって、薄膜を形成する。薄膜を形成後、大気中で、900〜1100℃の熱処理を行う。白色蛍光体薄膜は450〜700nmの波長全域で白色蛍光特性の発光スペクトルを有する。エピタキシャル薄膜に用いる基板は、SrTiO↓3、LaAlO↓3、LaGaO↓3、MgO、LaSrGaO↓4のうちのいずれかの基板である。図は酸素圧700mTorr600℃で成長した時のX線回折パターンである。STO↓s↓u↓bはSrTiO↓3基板を意味し、BiCTOは、Bi添加CaTiO↓3を意味する。図中の枠内に拡大表示したように、(002)のピークは基板のピークと薄膜のピークに明確に分離していることが分かり、基板STOよりも薄膜BiCTOの方が、格子定数が小さいため高角側にピークが出現している。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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