薄膜トランジスタ

開放特許情報番号
L2010005888
開放特許情報登録日
2010/11/12
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2010-182188
出願日 2010/8/17
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-066401
公開日 2011/3/31
登録番号 特許第4660743号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 薄膜トランジスタ
技術分野 電気・電子、金属材料、化学・薬品
機能 機械・部品の製造
適用製品 薄膜トランジスタ
目的 金属硅素化合物薄膜を、チャネル領域とした薄膜トランジスタを提供する。
効果 水素脱離による劣化が抑制され、しかもアモルファスSi薄膜トランジスタと同等以上の電界効果移動度を有する薄膜トランジスタが得られる。
技術概要
遷移金属とシリコンの化合物であり、遷移金属原子の周りを、7個以上16個以下のシリコン原子が取り囲む遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とし、遷移金属原子の第1及び第2近接原子にシリコンが配置されている遷移金属珪素化合物薄膜をチャネル領域とした薄膜トランジスタである。また、遷移金属原子は、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウムのいずれかである、薄膜トランジスタである。図1(a)はMSi↓n膜をチャネルに用いたトップゲート型TFT、(b)MSi↓n膜をチャネルに用いたボトムゲート型TFTである。図1において、1はゲート電極、2はソース電極、3はMSin膜チャネル、4はゲート絶縁膜、5はドレイン電極、6はTFT基板である。図2に、石英基板に堆積したWSi↓1↓4膜の熱脱離スペクトルを示す。横軸はサンプル表面の温度、縦軸は真空チェンバー内の圧力を示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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