半導体発光ダイオード

開放特許情報番号
L2010005886
開放特許情報登録日
2010/11/12
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2010-178945
出願日 2010/8/9
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-038977
公開日 2012/2/23
登録番号 特許第5495061号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体発光ダイオード
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 高効率発光ダイオード、半導体発光ダイオード、LED、照明光源
目的 高い活性層の表面占有率を十分に確保すると同時に、エバネッセント光の干渉による高い光取出し効率の実現が可能なLEDの提供。
効果 この技術の発光ダイオード(LED)は、平坦な半導体ウエハー表面上に微細なリッジ構造を作製し、リッジ構造において発現するエバネッセント光の干渉現象を利用して、LEDの光取出し効率を向上させることができる。また、従来の構造においてエバネッセント光の干渉現象を利用できる活性層の面積が少ないという問題点を大幅に改善することができ、ウエハーの利用効率を大きく向上させることが可能になる。
技術概要
この技術では、順次積層させた第1導電型の障壁層と、発光層となる活性層と、第2導電型の障壁層とを少なくとも備える半導体発光ダイオードにおいて、半導体発光ダイオードの光取出し側の表面は、一つの平坦面と少なくとも二つの傾斜面によって構成されるリッジ構造を備え、(1)リッジ構造の平坦面の横幅Wが2λ(λ:発光波長)以下であること、(2)活性層の中心C(リッジ構造の中心線と活性層との交点)からの光が傾斜面において全反射が起こる最短の地点(傾斜面の法線方向からθ↓C=sin↑(−1)(1/n)[n:半導体層の屈折率]の角度をなす活性層の中心Cから傾斜面に向かう線(平坦面に近い側)と傾斜面との交点)から平坦面までの距離Lがλ(λ:発光波長)以下であること、(3)活性層が平坦で、連続的であること、(4)リッジ構造のもっとも低い地点が活性層に達しないこと、を満たすものとする。また、活性層が多重量子井戸の場合、全ての量子井戸が(1)〜(4)の条件を満たすことが望ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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