半導体装置及びその製造方法

開放特許情報番号
L2010005863
開放特許情報登録日
2010/11/5
最新更新日
2012/10/18

基本情報

出願番号 特願2007-256110
出願日 2007/9/28
出願人 国立大学法人佐賀大学
公開番号 特開2009-088248
公開日 2009/4/23
登録番号 特許第5076236号
特許権者 国立大学法人佐賀大学
発明の名称 半導体装置及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体装置
目的 緑色光の発光効率が高い光電変換機能素子に使用できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
効果 550nmの純緑色光に対して基板は透明であり、pn接合部付近で放出した光の一部である550nmの純緑色光が、基板を通過する間に吸収されることがなく、緑色光の発光効率が高い光電変換機能素子に使用できる。
技術概要
半導体装置10は、テルル化亜鉛の室温でのバンドギャップである2.26eVよりバンドギャップが大きく、テルル化亜鉛の結晶構造である閃亜鉛鉱型構造と同一の結晶構造である材料からなる基板1aと、基板1a上に積層したp型テルル化亜鉛からなるp型テルル化亜鉛薄膜2a層と、p型テルル化亜鉛薄膜層2a上に積層したn型テルル化亜鉛からなるn型テルル化亜鉛薄膜層2bと、を備えている。基板は、p型テルル化亜鉛薄膜層側の表面上に基板と同一の材料からなる薄膜が成膜されている。基板は、テルル化亜鉛マグネシウム。基板は、p型テルル化亜鉛マグネシウムからなり、薄膜は、有機金属気相成長法による成長時に燐を構成元素として含むドーパントを供給して成膜する。基板は、(004)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が100秒以下である。p型テルル化亜鉛薄膜層は、表面の二乗平均粗さが100nm以下である。p型テルル化亜鉛薄膜層は、膜厚が1.1μm以下である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 基板の表面に、機械研磨によるダメージや表面汚染物が残留している場合であっても、基板上に成膜された薄膜とp型テルル化亜鉛薄膜層によって、所望の界面を得ることができる。
改善効果2 必要に応じて、前記基板は、p型半導体からなることにより、基板又は基板上に成膜された薄膜とp型テルル化亜鉛薄膜層との界面に形成させるポテンシャルバリアによりキャリアを閉じ込め、発光再結合の効率を向上させることができる。
改善効果3 基板は、(004)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が100秒以下であることにより、光電変換機能素子の発光強度を顕著に向上させることができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT