プラズマCVD法を用いたナノダイヤモンド/アモルファスカーボン複合膜の形成方法

開放特許情報番号
L2010005862
開放特許情報登録日
2010/11/5
最新更新日
2012/8/20

基本情報

出願番号 特願2007-239742
出願日 2007/9/14
出願人 国立大学法人九州大学
公開番号 特開2008-101271
公開日 2008/5/1
登録番号 特許第5030101号
特許権者 国立大学法人九州大学
発明の名称 プラズマCVD法を用いたナノダイヤモンド/アモルファスカーボン複合膜の形成方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 ナノダイヤモンド/アモルファスカーボン複合膜
目的 原料ガスとしてアセチレンを用いてナノダイヤモンド/アモルファスカーボン複合膜を短時間で確実に形成することを可能にするプラズマCVD法を用いたナノダイヤモンド/アモルファスカーボン複合膜の形成方法を提供する。
効果 原料ガスとしてアセチレンを用いる場合において、ナノダイヤモンド/アモルファスカーボン複合膜を確実に形成することができる。
技術概要
プラズマCVD法を用いたナノダイヤモンド/アモルファスカーボン複合膜の形成方法はシリコン単結晶基板13の表面を炭化処理して炭化処理層を形成し、その後炭化処理層の表面にダイヤモンド粒子を用いてスクラッチ処理を施し、スクラッチ処理を施した炭化処理層の表面に、原料ガスとしてアセチレンを用いて、プラズマCVD法によりナノダイヤモンド/アモルファスカーボン複合膜を形成する。炭化処理を、メタンプラズマを用いて実施する。メタンプラズマを用いた炭化処理では、メタンガス雰囲気中においてメタンプラズマを発生し、メタンプラズマの高周波放電によりシリコン単結晶基板の表面に10オングストローム〜300オングストロームの炭化珪素層と炭化珪素層の上にアモルファスカーボン層を形成する。アモルファスカーボン層は、1μm〜10μmの厚みを有している。スクラッチ処理では、アモルファスカーボン層の表面にダイヤモンド粒子懸濁液を塗布し、ダイヤモンド懸濁液に超音波振動を加えることにより、ダイヤモンド粒子によってアモルファスカーボン層の大部分を除去して、しかも炭化珪素層をスクラッチ処理する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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