酸化チタン膜の形成方法及び酸化チタン膜

開放特許情報番号
L2010005860
開放特許情報登録日
2010/11/5
最新更新日
2010/11/5

基本情報

出願番号 特願2007-239942
出願日 2007/9/14
出願人 国立大学法人九州大学
公開番号 特開2009-067648
公開日 2009/4/2
発明の名称 酸化チタン膜の形成方法及び酸化チタン膜
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化チタン膜
目的 基板の表面に結晶欠陥が少ないルチル型酸化チタンを含み、可視光応答性と高い光触媒活性を有する酸化チタン膜を形成するための方法を提供する。
効果 再結合中心となる結晶欠陥が少ないルチル型酸化チタンを含む酸化チタン複層膜を単結晶基板だけでなく、非晶質体や多結晶体からなる基板の上に容易に、再現性良く形成することが可能となる。形成された酸化チタン膜は、結晶欠陥が少ないルチル型酸化チタンを含むため、可視光応答性を有し、活性の高い光触媒として機能する。
技術概要
 
基板の表面に酸化チタン膜を形成する方法は、基板の表面に形成された結晶配向したルチル型酸化チタンからなる下層膜上に、基板温度及びスパッタリング雰囲気の全圧(スパッタリング圧)を制御した状態で、酸素を含むプラズマ中でチタンを含むターゲットをスパッタリングすることにより、下層膜の表面にルチル型酸化チタンを含む上層膜を形成する。上層膜を形成するときの基板温度は350〜600℃、スパッタリング圧は2.5〜10.0Paとする。上層膜は、膜厚50nm以上に形成する。下層膜は、基板の表面に、酸素を含むプラズマ中でチタンを含むターゲットをスパッタリングして形成する。下層膜をスパッタリングで形成するときのスパッタリング圧は0.1〜1.0Paとする。下層膜は、膜厚25nm以上に形成する。基板の表面に形成された結晶配向したルチル型酸化チタンからなる下層膜と、下層膜の上に形成され、下層膜を構成するルチル型酸化チタンと同じ結晶面に結晶配向したルチル型酸化チタンを含む上層膜とで構成され、価電子帯と伝導帯との間のバンドギャップエネルギーが3.15eV以下である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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