ホスホニルイミデートを求核剤とする方法

開放特許情報番号
L2010005828
開放特許情報登録日
2010/11/5
最新更新日
2015/10/28

基本情報

出願番号 特願2009-058767
出願日 2009/3/11
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2010-209028
公開日 2010/9/24
登録番号 特許第5107286号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 ホスホニルイミデートを求核剤とする方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 ホスホニルイミデート求核剤
目的 塩基の使用量が少なく、かつ一般性の高い新しい求核試薬を提供し、この求核試薬を用いた求核反応による各種の有機化合物の製造方法を提供する。
効果 触媒量の塩基を使用するだけで反応を進行させることができ効率的に行うことができる。この方法は、立体選択的であり、光学活性体を選択的に製造することができる。また、ホスホニルイミデートは殺虫剤として使用されている化合物であり、この方法により簡便にその誘導体の合成が可能になるため、殺虫剤などに有用となる新規な有用物質の探索を簡便に高収率で立体選択的に行うことができる。さらに、使用する塩基の量が触媒量でも反応が進行するため、工業的な製造にも適している。
技術概要
式(1)で示すホスホニルイミデートを、塩基の存在下で求核反応基質化合物と反応させて求核反応生成物を製造する方法である。求核反応基質化合物は、式(2):Y=Z−R↑5で示す不飽和化合物であって、求核反応生成物は式(3)である化合物である。求核反応基質化合物は、式(4)であって、求核反応生成物が式(5)で示すアミノ化合物である。式(4)で示すイミン化合物は、アルデヒドと式:H↓2N−R↑1↑2で示すアミノ化合物から、反応系中で生成される。求核反応基質化合物が、式(6)であって、求核反応生成物が式(7)で示すカルボニル化合物である。式中、R↑1、R↑4は、炭化水素基、R↑2、R↑3は、H、炭化水素基を表す。YはR↑6−CH、R↑7−C(R↑8)等、ZはN、又はC−CO−OR↑1↑0、R↑5は炭化水素基、−CORa等(式中、Raは炭化水素基)、R↑6〜R↑8は、H、炭化水素基、R↑9、R↑1↑0は炭化水素基、R↑1↑1は炭化水素基等、R↑1↑2は炭化水素オキシカルボニル基又は炭化水素ホスホニル基、R↑1↑3〜R↑1↑6は、炭化水素基を表す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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