液晶の加熱測定方法及びこれに用いるサンプルの加熱機構

開放特許情報番号
L2010005821
開放特許情報登録日
2010/11/5
最新更新日
2014/6/19

基本情報

出願番号 特願2010-142340
出願日 2010/6/23
出願人 国立大学法人信州大学
公開番号 特開2012-008235
公開日 2012/1/12
登録番号 特許第5515033号
特許権者 国立大学法人信州大学
発明の名称 液晶の加熱測定方法及びこれに用いるサンプルの加熱機構
技術分野 化学・薬品
機能 検査・検出
適用製品 液晶の加熱測定システム及びこれに用いるサンプルの加熱機構
目的 液晶材料の加熱温度を正確に制御して測定することを可能とし、液晶の相構造や配向性等の特性を測定する操作を効率的に行う。
効果 サンプルの液晶材料の加熱温度を正確に制御して測定することができ、液晶の相構造や配向性等の特性を測定する操作を効率的に行うことができる。サンプルの液晶材料の加熱温度を正確に制御して測定することができ、液晶の相構造や配向性等の特性を測定する操作を効率的に行うことができる。
技術概要
サンプルを付着させて支持するセット部が形成されたサンプルプレート40と、サンプルプレート40の裏面に配されるヒータ板31とを備え、ヒータ板31を加熱し、サンプルプレート40に支持されたサンプルを所定の設定温度に加熱して測定を行う液晶の加熱測定方法である。サンプルを所定の設定温度に制御する方法は、サンプルプレート40のセット部40aに、液晶となる温度が既知の液晶材料を供給し、ヒータ板31によりサンプルプレートを加熱しながら液晶材料の転移点を検知する方法により、ヒータ板31によるサンプルの加熱温度をあらかじめキャリブレーションする工程を備え、キャリブレーションの結果にしたがってヒータ板31による加熱を制御して、サンプルプレート40にセットされたサンプルSの温度を制御する。サンプルの加熱温度をキャリブレーションする工程は、液晶となる温度が異なる複数種の液晶材料をサンプルプレートに供給し、ヒータ板によりサンプルプレートを加熱して、これら複数種の液晶材料についての転移点を検知する方法によってキャリブレーションする。加熱機構の斜視図(a)及び断面図(b)である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 株式会社信州TLO

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT