半導体量子ドット及び同形成方法

開放特許情報番号
L2010005792
開放特許情報登録日
2010/10/29
最新更新日
2015/10/22

基本情報

出願番号 特願2009-044413
出願日 2009/2/26
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2010-199414
公開日 2010/9/9
登録番号 特許第5504468号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 半導体量子ドット及び同形成方法
技術分野 情報・通信、電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、その他
適用製品 半導体装置
目的 この発明は、巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供する。
効果 この発明の材質識別装置によれば、従来の結晶成長レートの10倍から100倍速い結晶成長速度で量子ドットを形成することを実現したことで、巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことができる。また、ナノ構造体の作製に係るプロセス時間を短縮し、生産コストを低減させることができる。
技術概要
半導体中におけるキャリアの3次元的な閉じ込め構造として量子ドット構造がある。しかし、従来は、量子ドットの成長結晶サイズのばらつきを防ぐように、一層成長させるためにたとえば100秒などといった低成長レートによって、時間的にゆっくり成長させていたが、これでは、プロセス時間・生産コスト上問題であるだけでなく、巨大アイランドの形成による結晶品質の低下を引き起こしていた。この発明の半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットDの結晶成長レート及び/もしくは埋め込み層の結晶成長速度として1ML/s(モノレイヤー・パー・セカンド)以上によって層形成させる。また、半導体量子ドットを形成する基板としてGaAs、InP、GaSbのいずれかを採用し、量子ドットを挟む化合物の下層としてGaAs、AlGaAs、InGaAs、GaAsSb、InP、InGaAs、InAlAs、InGaAlAsP、GaSbのいずれかを採用し、同上層としてInAs、InxGa1−xAs、InP、InxGa1−xAsyP1−y、InGaSbのいずれかを採用した構成としてもよい。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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