光導波路型半導体及びその製造方法

開放特許情報番号
L2010005787
開放特許情報登録日
2010/10/29
最新更新日
2018/5/16

基本情報

出願番号 特願2009-039863
出願日 2009/2/23
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構、学校法人東京電機大学
公開番号 特開2010-199158
公開日 2010/9/9
登録番号 特許第5505827号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 光導波路型半導体
技術分野 電気・電子、情報・通信、機械・加工
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、表面処理
適用製品 情報通信用半導体装置、半導体装置
目的 この発明は、主に量子井戸または量子ドットを用いた光導波路型半導体光源の構造を簡単化し、デバイス表面の微細構造による光波制御を可能とした装置を提供する。
効果 この発明の光導波路型半導体装置によれば、例えば単一波長特性の良いレーザ、レーザ結晶作製後の光源の多品種化にともなう生産効率向上、光源の波長特性制御が可能となる。従来の作製技術に比べて、レーザ本体が薄型にでき使用レアメタル材料の低量化なども期待される。発振され活性層中を伝播する光波は、光制御層の屈折率が活性層屈折率以上であることから、この構造により余計に上側に引っ張られて表面にしみ出し、よってデバイス表面の影響をより強く受けることにようにすることが可能となる
技術概要
一般的に、量子井戸または量子ドット構造を用いた半導体レーザ等の光導波路型半導体光源の開発では、その活性層を挟むようにミクロンオーダーの厚い二層のクラッド層を設けることで光が閉じ込められている。しかし、厚い上部のクラッド層の下方に局在する光波に対して制御を行うには、発振領域を制限する深堀エッチングなどの精密加工技術が必要であり、それらの条件がないと、閾値電流の不安定や、歩留まりの低下を招く等の問題があった。この発明の光導波路型半導体装置は、基板と、その基板上に形成される下部クラッド層と、この上に形成される下部クラッド層の屈折率より高い屈折率を有する活性層と、活性層上に形成され、この活性層の屈折率より低い屈折率を有し、下部クラッド層の層厚に比べ薄厚の狭窄層と、この狭窄層上に形成される光制御層とを具備し、狭窄層中の光制御層に対応する箇所の周囲が導通を起こさせない性質を有するように構成される。この様な構造に加工すると、単一波長性の高いレーザ光源、高出力光源、出力が面方向となる光源、分散制御された光源などの高機能光源デバイスの作製が可能となる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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