半導体レーザー及び半導体レーザー装置

開放特許情報番号
L2010005782
開放特許情報登録日
2010/10/29
最新更新日
2016/5/24

基本情報

出願番号 特願2007-218353
出願日 2007/8/24
出願人 国立大学法人九州大学、トヨタ自動車株式会社
公開番号 特開2009-054699
公開日 2009/3/12
登録番号 特許第5250768号
特許権者 国立大学法人九州大学
発明の名称 半導体レーザー及び半導体レーザー装置
技術分野 情報・通信、電気・電子、機械・加工
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体レーザー
目的 この発明は、マルチモード干渉導波路を用いてN出力される光の相対位相を固定することにより効果的に光の漏れを抑制し、高い光出力を実現できる装置を提供する。
効果 この発明の半導体レーザー装置によれば、位相が固定されたN本(Nは2以上の整数)のレーザー光を出力させることができる。
技術概要
近年、数Wから数kWもの高い光出力が得られる半導体レーザーが実現され、加工装置やエネルギー空間伝送などへの応用が検討されており、光出力としては数W〜数kWと高い光出力が報告されているが、各アレイ導波路間の相対位相は固定されていなかった。また、マルチモード干渉分岐回路と複数の出射導波路とを接続し、出射導波路から分岐された複数のレーザー光を同時に出射する方法も提案されているが、従来のマルチモード干渉分岐回路で光出力をN分岐した場合、各出射端での光の位相は一致しないことが明らかになっている。この発明の半導体レーザー装置において、半導体レーザーは、1×3型マルチモード干渉導波路と、マルチモード干渉導波路の一方の端部に設けられ、光を導波する1本の光導波路と、マルチモード干渉導波路の他方の端部に設けられ、レーザー光を導波させる3本の光導波路(直線導波路及び曲線導波路)と、を備える。1本の直線導波路及び2本の曲線導波路の一部が、各前方端面において光の位相を整合させるように光位相整合領域を構成し、後方端面と前方端面との間で共振器が形成される構造としたものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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