ゲートスタック形成方法

開放特許情報番号
L2010005716
開放特許情報登録日
2010/10/15
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2010-168792
出願日 2010/7/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-028713
公開日 2012/2/9
登録番号 特許第5565804号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ゲートスタック形成方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ゲートスタック形成方法
目的 HfO↓2層をゲート絶縁膜とするゲートスタックにおける、界面にSiO↓2層が形成されない極薄の等価酸化膜厚を持ったhigher−kゲートスタックの提供。
効果 HfO↓2層上に酸素吸収効果のある酸素制御金属層を形成した上で急速加熱処理を行うことにより、界面のSiO↓2層は形成されず、極薄の等価酸化膜厚を持ったhigher−kゲートスタックが実現できる。
技術概要
この技術では、ゲートスタック形成方法は、シリコン基板上にHfO↓2層及び酸素吸収効果のある酸素制御金属層を順に形成する工程と、HfO↓2層が結晶化する温度で熱処理する工程とを含む。また、シリコン基板上にHfO↓2層を形成し、HfO↓2層とゲート電極層の間に酸素吸収効果のある酸素制御金属層を挿入した上で熱処理を行い、HfO↓2層を結晶化して誘電率を増大させると同時に、HfO↓2熱処理時の放出酸素吸収及びHfO↓2格子からの酸素除去効果を用いてHfO↓2/Si界面に形成されるSiO↓2を除去するものとする。酸素吸収効果のある酸素制御金属層は、Ti層であることが好ましい。ゲート電極層は、TiN電極層であることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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