紫外線領域透過型透明導電膜及びその製造方法

開放特許情報番号
L2010005710
開放特許情報登録日
2010/10/15
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2010-163513
出願日 2010/7/21
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-028052
公開日 2012/2/9
登録番号 特許第5582530号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 紫外線領域透過型透明導電膜及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 紫外線領域透過型透明導電膜、携帯電話、液晶テレビ、フラットパネルディスプレイ
目的 SnO↓2に、ZrO↓2及びHfO↓2のいずれか1つ以上を固溶させることによる、バンドギャップを広げた、紫外線領域での使用が可能な透明導電膜の提供。
効果 SnO↓2を主成分とする金属酸化物からなる透明導電膜であって、Zr及びHfの少なくとも1つ以上の元素を、金属に対して1〜15原子%添加することにより、紫外線領域での透過率を向上させることができる。紫外線領域透過型透明導電膜は、紫外線波長310nmの透過率が50%以上で、250nmの透過率が5%以上のものを得ることができる。
技術概要
この技術では、SnO↓2を主成分とする金属酸化物からなる透明導電膜は、Zr及びHfの少なくとも1つ以上の元素を、金属酸化物の金属元素に対して1〜15原子%含むことを特徴とする。そして、紫外線領域透過型透明導電膜は、紫外線波長310nmの透過率が50%以上であることを特徴とする。また、透明導電膜は、50%以上80%以下の透過率を有するものとする。透明導電膜は、バンドギャップエネルギーが4.15eV〜4.47eVであることが好ましい。透明導電膜を一般式で表すと、(Sn↓(1−z)M↓z)↓(1−x−y)Zr↓xHf↓yO↓2(但し、Mは、Sb、Nb、Ta、V、Biの少なくとも1つ以上の元素、x=0〜0.15、y=0〜0.10、但しx+y=0.01〜0.15、z=0〜0.10)となる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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