金属錯体薄膜およびその製造方法

開放特許情報番号
L2010005660
開放特許情報登録日
2010/10/8
最新更新日
2010/10/8

基本情報

出願番号 特願2007-193754
出願日 2007/7/25
出願人 国立大学法人九州大学
公開番号 特開2009-028965
公開日 2009/2/12
発明の名称 金属錯体薄膜およびその製造方法
技術分野 化学・薬品、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 金属錯体薄膜
目的 シュウ酸やシュウ酸類似の構造を有する化合物を用いた金属錯体の薄膜、および、ルベアン酸やルベアン酸類似の構造を有する化合物を用いた金属錯体の薄膜、およびそれらの製造方法を提供する。
効果 この金属錯体薄膜は、基板上に薄く形成することができる。そのため、デバイスへの応用が容易である。また、結晶性が比較的高い金属錯体薄膜を形成することも可能である。そのため、特異な性質を有する金属錯体薄膜を形成することが可能である。
技術概要
金属錯体薄膜の製造方法は基板表面の金属元素、又は有機分子鎖を介して基板に結合した金属元素に、式(1)の化合物を配位結合させてキレート環を形成する。式中、nは0〜6の整数、nが1から6である場合、芳香環には、式(1)に示す置換基以外の置換基が結合してもよい。基板に直接又は間接的に結合した式(1)の化合物の末端の2つの官能基に、金属元素を配位結合させてキレート環を形成する、次に結合された金属元素に、新たな式(1)の化合物を配位結合させてキレート環を形成する、工程からなるサイクルを1回以上繰り返す。金属元素は鉄である。式(1)の化合物は、シュウ酸又は2,5−ジヒドロキシ−1,4−ベンゾキノンである。式(1)の化合物が、2,5−ジヒドロキシ−1,4−ベンゾキノン(DHBQ)を用いた金属錯体薄膜の製造過程を、図1に模式的に示す。基板表面の金属元素、または有機分子鎖を介して基板に結合した金属元素に、式(2)の化合物を配位結合させてキレート環を形成する。式中、R↑1、R↑2、R↑4、R↑5は、水素、又は炭素数が1〜12の、アルキル基等、R↑3は、単結合、硫黄、酸素およびπ共役原子団から選ぶいずれか1つを示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT