アモルファス基板またはアモルファス膜の上にマンガン酸化物を直に堆積させた2層構造物。

開放特許情報番号
L2010005632
開放特許情報登録日
2010/10/8
最新更新日
2010/10/8

基本情報

出願番号 特願2007-086187
出願日 2007/3/29
出願人 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
公開番号 特開2008-244373
公開日 2008/10/9
発明の名称 アモルファス基板またはアモルファス膜の上にマンガン酸化物を直に堆積させた2層構造物。
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 アモルファス基板またはアモルファス膜の上にマンガン酸化物を直に堆積させた2層構造物。
目的 マンガン酸化物のスイッチング素子あるいはメモリー素子において、マンガン酸化物を室温(300K付近)〜低温(150K付近)で電流または電圧で制御するスイッチング素子として容易に用いることができない点を解決する。
効果 アモルファス基板またはアモルファス膜上に直に堆積させたマンガン酸化物は、電流または電圧の印加により、室温や低温において、抵抗値の急激な変化を示すため、室温あるいは低温で動作するスイッチング素子(例えば、高抵抗状態を0、低抵抗状態を1とするスイッチング素子)またはメモリー素子として用いることが出来る。また、基板が合成石英基板などのアモルファス基板を用いることから安価に作製でき、かつ膜と電極端子のみの単純な構造で構成できるので面積を小さく出来る。
技術概要
アモルファス基板またはアモルファス膜を加熱する工程と、そのアモルファス基板またはアモルファス膜に直にマンガン酸化物を堆積させる工程によって得られる2層構造物を作製することにより、室温または低温において、電流または電圧で制御できるスイッチング素子あるいはメモリー素子が得られる。アモルファス基板はマンガン酸化物の結晶化に要する温度、800度以上に軟化点を持つことが望ましい。特にアモルファス基板として1600度の高軟化点を持つ合成石英ガラスが望ましい。マンガン酸化物は、R↓1↓−↓xA↓xMnO↓3(Rは希土類イオン、Aはアルカリ土類イオン)で表されるペロブスカイト型マンガン酸化物が望ましく、特に希土類イオンがプラセオジム、アルカリ土類イオンがカルシウムであることが望ましい。製膜装置としては、パルスレーザー堆積装置、スパッタ装置などが挙げられる。チャンバー内を高真空にしたあと、アモルファス基板を加熱する。酸素をチャンバー内に導入する。その後マンガン酸化物を堆積することで、2層構造物が得られる。図1はアモルファス基板にマンガン酸化物を堆積した2層構造物を示す。図2は測定方法を示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 既に応用が始まっているメモリーの抵抗変化素子など酸化物の電子デバイスとの共存が容易になる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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