配位高分子およびその製造方法ならびにそれを用いた素子

開放特許情報番号
L2010005618
開放特許情報登録日
2010/10/8
最新更新日
2010/10/8

基本情報

出願番号 特願2006-051288
出願日 2006/2/27
出願人 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
公開番号 特開2007-230880
公開日 2007/9/13
登録番号 特許第3962816号
特許権者 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
発明の名称 配位高分子およびその製造方法ならびにそれを用いた素子
技術分野 化学・薬品、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 配位高分子ならびにそれを用いた素子
目的 強誘電性を示す新規な配位高分子、およびその製造方法、ならびにそれを用いた素子を提供する。
効果 強誘電性を示す新規な配位高分子、およびそれを用いた素子が得られる。
技術概要
 
配位高分子は、ジチオカルバミン酸の誘導体と塩素イオンと銅イオンとによって構成された配位高分子であって、銅イオンは、ジチオカルバミン酸の誘導体のアニオンおよび塩素イオンから選ばれる少なくとも1つによって架橋され、ジチオカルバミン酸の誘導体がHSSC−NR↑1R↑2(R↑1およびR↑2は、それぞれ独立に、炭素数が3以上の脂肪族炭化水素基を示す。)で表される。また、配位高分子を製造するための方法は、2つのジチオカルバミン酸誘導体を配位子として含む銅錯体と、塩化銅(II)とを、それらの溶液中で反応させることによって、ジチオカルバミン酸誘導体と塩素イオンと銅イオンとによって構成され、銅イオンがジチオカルバミン酸の誘導体のアニオンおよび塩素イオンから選ばれる少なくとも1つによって架橋されている配位高分子を形成する工程を含む。なお、塩化銅(II)には、水和物(塩化銅(II)二水和物(CuCl↓2・2H↓2O))も含まれる。また、素子は、強誘電性を示す部分を含む素子であって、部分が配位高分子を含む。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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