| 出願番号 |
特願2008-535266 |
| 出願日 |
2007/3/22 |
| 出願人 |
国立大学法人九州大学 |
| 公開番号 |
WO2008/035468 |
| 公開日 |
2008/3/27 |
| 登録番号 |
特許第5124781号 |
| 特許権者 |
国立大学法人九州大学 |
| 発明の名称 |
ｎ型伝導性を有するナノダイヤモンド薄膜及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
アモルファスカーボンマトリックスにナノダイヤモンド粒子が埋没した構造、窒素、燐、硫黄、ドーピング |
| 目的 |
ナノダイヤモンド／アモルファスカーボン複合膜に不純物原子がドーピングされて構成されたｎ型伝導性を有するナノダイヤモンド薄膜において、従来よりも電子移動度を増大させて抵抗率が低い（電子濃度が高い）ナノダイヤモンド薄膜及びその製造方法及びｎ型伝導性を有するナノダイヤモンド薄膜の電子移動度を増大させる新規な方法の提供。 |
| 効果 |
本技術によれば、ナノダイヤモンド薄膜中におけるナノダイヤモンド粒子の体積率を、アモルファスカーボン及び不純物原子の体積率よりも大きくすることにより、電子移動度を大きくすることができ、実用に供することができる程度に電子移動度の高いｎ型ダイヤモンド薄膜（ｎ型伝導性を有するナノダイヤモンド薄膜）を得ることができるという利点がある。 |
技術概要
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本技術のｎ型伝導性を有するナノダイヤモンド薄膜は、アモルファスカーボンマトリックスにナノダイヤモンド粒子が埋没した構造を有するナノダイヤモンド／アモルファスカーボン複合膜に、窒素、燐、硫黄等の不純物原子がドーピングされて構成されたものである。そして特に、ナノダイヤモンド薄膜では、ナノダイヤモンド薄膜中におけるナノダイヤモンド粒子の体積率を、アモルファスカーボン及び不純物原子の体積率よりも大きくしている。本技術は、絶縁物であるナノダイヤモンド粒子の割合を増すことにより、ナノダイヤモンド／アモルファスカーボン複合膜に不純物原子がドーピングされて構成されたｎ型伝導性を有するナノダイヤモンド薄膜において、従来よりも電子移動度を高めることができることを発見した。本技術はこの発見を基礎とするものである。すなわちナノダイヤモンド薄膜中におけるナノダイヤモンド粒子の体積率を、アモルファスカーボン及び不純物原子の体積率よりも大きくすると、電子移動度は大きくなる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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