光導波路素子、光集積回路、光ゲートスイッチ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2010005431
開放特許情報登録日
2010/9/17
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2010-145899
出願日 2010/6/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-008430
公開日 2012/1/12
登録番号 特許第5605621号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光ゲートスイッチ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 光導波路素子、光集積回路、光ゲートスイッチ
目的 サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのSN比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。
効果 サブバンド間遷移導波路とシリコン細線を用いたハイブリット集積化において、素子間結合効率を向上させ、及び位相変調効果を増大させることができる。その結果、さらに、光ゲートスイッチの高性能化を実現できる。また、サブバンド間遷移素子とシリコン細線の位置合わせにおいて要求される精度が低くなるため、歩留まり向上を期待できる。
技術概要
位相変調効果を有する光導波路素子は、光導波路の導波路端面から入射した光信号に対する反射構造を備え、光信号が反射構造で反射され導波路端面から出力されることにより、位相変調領域での光信号の光路長が増大する。光導波路は、量子井戸構造を形成する半導体材料からなり、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有する。光導波路の反射構造は、ブラッグ反射鏡、金属膜反射鏡、ファセットミラーの少なくとも一つを用いた構造である。InGaAsやAlAsSbなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、TE光信号に対する反射構造(R1)を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路10を構成する。導波路端面(P1)から入力された信号光5は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造(R1)にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面(P1)から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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