光制御素子

開放特許情報番号
L2010005429
開放特許情報登録日
2010/9/17
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2010-144444
出願日 2010/6/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-008353
公開日 2012/1/12
登録番号 特許第5414066号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光制御素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 光制御素子
目的 自己保持機能を有し、切り替えによる素子の劣化がほとんど生じず、高速切り替えが可能な光制御素子を提供する。
効果 金属磁性人工格子における強磁性金属層の磁化配置を変化させることにより光の切り替えを行う。このため、光制御状態の自己保持が可能であり、そのため低消費電力である。また、強磁性体の磁化の反転は、材料の劣化をほとんど伴わないため、耐久性に優れる。
技術概要
強磁性金属層と非磁性金属層とを交互に積層して構成される金属磁性人工格子を一部又は全部に用いて形成され、その金属の光学的性質とその形状とに応じた固有の振動数を持つ、表面プラズモンによる共鳴散乱を示す微小金属構造体を有する光制御素子である。金属磁性人工格子はスピンバルブ構造をとる。光制御素子の全体は、柱状微小金属構造体1を一個又は複数個配置することによって構成される。柱状微小金属構造体1は、長さ方向に積層された金属磁性人工格子2によって構成される。柱状金属構造体1に対し、入射光3が入射する。図には示さない外部磁場印可装置により、外部磁場4が印可される。図2は、金属磁性人工格子2の一部を示す。金属磁性人工格子は、強磁性金属層21と非磁性金属層22とを交互に積層したものである。数原子層から数十原子層であることが望ましい。強磁性金属層21は、外部磁場4の印可により容易に磁化方向を反転するフリー層21aと、外部磁場4の印可によっては磁化反転を起こさない固定層21bとからなり、非磁性層22をはさんで交互に積層している。強磁性層21の磁化配置を、図2(a)に示す平行配置と図2(b)に示す反平行配置の間で切り替えできる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 磁化の反転に要する時間は、原理的には数十ナノ秒と、自己保持機能を有する光制御素子としては高速応答である。また、半導体工業の分野で確立された製造技術を用いた作製が可能であり、このため、従来の半導体との親和性も高く、平面光回路等への集積も可能である。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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