薄膜トランジスタの製造方法

開放特許情報番号
L2010005131
開放特許情報登録日
2010/9/3
最新更新日
2013/8/28

基本情報

出願番号 特願2007-080387
出願日 2007/3/26
出願人 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
公開番号 特開2008-244025
公開日 2008/10/9
登録番号 特許第5294231号
特許権者 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
発明の名称 薄膜トランジスタの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 液晶ディスプレイ(LCD)、テレビ、携帯電話、メモリ
目的 品質の高い多結晶シリコン薄膜を形成でき、かつ、結晶化のためのアニール処理時間を短縮できる薄膜トランジスタの製造方法の提供。
効果 この技術の製造方法によれば、品質の高い多結晶シリコン薄膜形成を維持しつつ、結晶化のためのアニール処理時間を短縮できる。すなわち、この技術の製造方法は、金属触媒を使用して、短時間で高品質の多結晶シリコン薄膜を形成するプロセスにおいて、金属触媒としてナノ粒子を吸着したアモルファスシリコン薄膜に、500℃以上の急速加熱処理を施すことによって、10ミクロン以上の大粒径の結晶粒をもつシリコン薄膜を得ることが可能となる。
技術概要
 
この技術は、アモルファス膜を堆積させる工程と、ドット状若しくは粒子状の金属をアモルファス膜に配設する工程と、金属とアモルファス膜をアニール処理する工程と、を含み、アモルファス膜を結晶化して薄膜トランジスタのチャンネル部分を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、アニール処理が、500℃以上でガラス劣化温度以下の温度を上限温度として、パルス的に加熱処理を行われることを特徴とする。ドット状若しくは粒子状の金属のサイズはなるべく小さい方がよく、好ましくは粒子径が1ミクロン以下とする。パルス的に加熱処理が行われるとは、急速に上限温度まで温度上昇させて、急速に冷却することを意味し、パルス的に加熱処理を行う回数は、上限温度を何度に設定するかによって、また、目的とする結晶粒の粒径によって異なるが、例えば、結晶粒の粒径が10ミクロン程度に成長させる場合は、上限温度を550〜740℃に設定し、パルス的な加熱処理時間(パルス時間幅)を19〜23秒に設定し、加熱回数を40〜80回と設定する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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