太陽電池の評価方法及び評価装置並びにその利用

開放特許情報番号
L2010005126
開放特許情報登録日
2010/9/3
最新更新日
2010/9/3

基本情報

出願番号 特願2006-547955
出願日 2005/11/29
出願人 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
公開番号 WO2006/059615
公開日 2006/6/8
発明の名称 太陽電池の評価方法及び評価装置並びにその利用
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 太陽電池パネル、シリコン多結晶太陽電池
目的 大型の設備を要することなく、簡便かつ正確に太陽電池モジュールの光電変換性能について評価することができる太陽電池の評価方法及び評価装置の提供。
効果 この技術によれば、順方向電流注入によるエレクトロルミネセンス法を用いているため、従来の太陽電池の評価方法や評価装置に比べて、大がかりな設備を要することなく、簡便かつ正確に太陽電池の光電変換性能について評価することができる。また、走査プローブ(電子線、レーザ)が不要であり、簡便な測定を行い得る。大型の設備が不要なため、製品状態(製造工場で完成した状態、又は構造物に設置された状態)で観察・評価を行うことが可能である。
技術概要
この技術の、太陽電池の性能評価を行う太陽電池の評価方法は、太陽電池を構成する太陽電池素子に対して、順方向に直流電流を導入する電流導入工程と、電流導入工程によって、太陽電池素子から生じる光の発光特性を検出する発光検出工程と、を含み、太陽電池素子は、シリコン半導体を主要部材として構成されている。また、発光検出工程において検出した発光特性のうち発光強度の強弱を指標として、発光強度が所定の値より大きい場合には評価を良好と判定し、発光強度が所定の値より小さい場合には評価を不良と判定する判定工程を含む。更に、発光検出工程において検出した発光特性のうち発光強度に基づいて、少数キャリアの拡散長を算出し、拡散長を指標として、太陽電池の性能を判定する判定工程を含む。シリコン半導体は、単結晶、多結晶、またはアモルファスのシリコン半導体が好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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