半導体結晶の欠陥評価方法及び評価装置

開放特許情報番号
L2010004972
開放特許情報登録日
2010/8/27
最新更新日
2010/8/27

基本情報

出願番号 特願2007-219745
出願日 2007/8/27
出願人 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構
公開番号 特開2009-054771
公開日 2009/3/12
発明の名称 半導体結晶の欠陥評価方法及び評価装置
技術分野 電気・電子、情報・通信、その他
機能 検査・検出、制御・ソフトウェア、機械・部品の製造
適用製品 半導体評価装置
目的 この発明は、ワイドギャップ半導体で構成される半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を高速で非破壊的に高精度で評価する方法を提供する。
効果 この発明の装置によると、僅か 100秒以下でSiCウエハ全面の欠陥分布を知ることが出来る。欠陥の発生状況を結晶の育成条件と対比させ、結晶育成条件の最適化を図るのに役立つ。非破壊・非接触測定であるので、ウエハ出荷前に全数検査することも可能である。これにより、ウエハ内の欠陥部位(不良箇所)を予め知ることができるので、デバイスプロセスに反映させることができ、ウエハの付加価値を高めることができる。また、デバイスの各プロセス毎に欠陥分布を測定し、欠陥の発生状況を知り、プロセス改善に役立つ。
技術概要
物性的性質が優れている炭化珪素(SiC)は最も有望な次世代低損失電力デバイス用半導体材料であるが、結晶の品質が現在主流のシリコン(Si)に比べて劣っており、高品質化(低欠陥密度化)が課題である。SiCウエハを用いたデバイス作製の活発化に呼応して、近年、SiCウエハを高精度に評価したいとの要請が強くなってきた。この発明の装置は、半導体試料に光を照射して、半導体試料によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、及び、放出されたフォトルミネッセンス光を観察して、半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を得る工程を含み、半導体試料を構成する半導体が、ワイドギャップ半導体であり、半導体試料に照射する光が、ワイドギャップ半導体のバンドギャップに対応するエネルギーよりも小さいエネルギーを有する、半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を評価するものである。この際照射する光は、通常SiCのバンドギャップに対応する1.3eVの波長950nmの光ではなく、可視光の波長400〜700nmを有する発光ダイオードなどが用いられる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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