| 出願番号 |
特願平10-231251 |
| 出願日 |
1998/8/18 |
| 出願人 |
金沢大学長 |
| 公開番号 |
特開2000-068577 |
| 公開日 |
2000/3/3 |
| 登録番号 |
特許第2972879号 |
| 特許権者 |
国立大学法人金沢大学 |
| 発明の名称 |
一方向性光増幅器 |
| 技術分野 |
情報・通信、電気・電子、無機材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、その他 |
| 適用製品 |
光情報通信装置、光増幅装置 |
| 目的 |
この発明は、真空中の電子と、光を遅延させる誘電体光導波路から真空中にしみ出した光とを用いて光の一方向性の増幅を行う、一方向性光増幅器を提供する |
| 効果 |
この発明の一方向性光増幅器の実現による最大の利点は、光信号を用いた回路合成が可能になることであり、これにより、光発振器、光増幅器、光変調器、光スイッチ、光メモリ等の各種の光機能素子を光回路として構成することができる。この一方向性光増幅器を光ファイバ通信用の光源に適用したり、各種光計測器に適用した場合、光アイソレータを用いなくても、反射戻り光の障害が生じなくなる。また、光ディスクにおける光ピックアップに適用した場合、反射戻り光の影響はなくなり、高品位の光信号を維持することができる。 |
技術概要
 |
一方向性の機能電子素子である通常の電子管やトランジスタの動作可能周波数の上限値（１ＧＨｚ程度）を上回る、最も高い動作可能周波数を有する一方向性の電子管としては進行波管がある。しかし、波長は高周波になるほど短くなり、進行波管の使用周波数の上限値は伝送路の金属加工技術により決定されるため、進行波管は数十ＧＨｚ以上の周波数では使用できない。この発明の一方向性光増幅器は、電子放射部１と、電子放射部１から放射される電子ビーム４から受けたエネルギーを利用して入力された光１２を一方向に増幅する光増幅部２とを真空中に配置して構成した一方向性光増幅器の光増幅部２は、電子ビーム走行方向（ｚ方向）に誘電体光導波路６が形成された誘電体基板５と、誘電体光導波路６を挟むように対向配置された一対の電子ビーム収束用電極９および１０とから成り、誘電体基板５は、電子ビーム走行方向（ｚ方向）に光の電界成分Ｅを生じさせるとともに電子ビーム走行方向（ｚ方向）の光の走行速度を低下させるように配置されている。この発明で用いられる誘電体導波路は、Ⅱ―Ⅵ族化合物半導体、ＺｎＳｅ，ＣｄＳまたはⅢ―Ⅴ族化合物半導体、ＧａＮ，ＧａＡｓ，ＩｎＰなどである。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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