半導体装置

開放特許情報番号
L2010004892
開放特許情報登録日
2010/8/27
最新更新日
2010/8/27

基本情報

出願番号 特願平09-250953
出願日 1997/9/16
出願人 金沢大学長
公開番号 特開平11-097453
公開日 1999/4/9
登録番号 特許第3057225号
特許権者 国立大学法人金沢大学
発明の名称 半導体装置
技術分野 情報・通信、電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体装置、マイクロ波装置
目的 この発明は、電界効果トランジスタに関するもので、特に、化合物半導体材料を用い、高速半導体素子、マイクロ波・ミリ波デバイス等に利用される高速電界効果半導体装置を提供する。
効果 この発明の装置によれば、チャネルのドレイン側領域B3に禁制帯幅が広い材料を使うことで、ゲート・ドレイン間の空乏層幅を大きくしなくとも耐圧を確保できることから、該空乏層の電子走行時間を短くすることができる。また、ソース側については耐圧の制約を考慮せずに禁制帯幅が狭く電子移動度が高い材料を使えることからゲートの充放電時間を従来以上に短縮することができる。
技術概要
従来のトランジスタでは、トランジスタ内部にかかる電界は場所により異なるにもかかわらず、チャネル層、あるいはチャネル層と電子供給層がソース側からドレイン側に渉って一様な材料で作られており、このため降伏電界強度も一様である。従来のトランジスタの問題点は、構造的にはソース側からドレイン側に至る間が一様な材料でできていることに起因している。この発明では、チャネル領域のうちソース領域B1、ゲート領域B2、およびドレイン領域B3について一様な禁制帯幅を有する材料で構成するのではなく、高い耐圧の必要されるドレイン領域B3は禁制帯の幅が大きい材料で構成し、ソース領域B1は電子移動度が高い禁制帯の幅が小さい半導体材料を用いて構成し、ゲート領域B2は禁制帯が両者の間で連続的に変化する構造となっている。具体的には、InP基板に対して、チャネルのソース領域B1をIn↓0↓.↓5Ga↓0↓.↓5As,チャネルのドレイン側領域B3をInPとし、その間の領域B2をB1をIn↓0↓.↓5Ga↓0↓.↓5AsからInPに変わる材料組成のIn↓xGa↓(↓1↓―↓x↓)P↓yAs↓(↓1↓―↓y↓)を用いることによって解決している。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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