ナノファイバーの製造方法

開放特許情報番号
L2010004833
開放特許情報登録日
2010/8/27
最新更新日
2017/3/22

基本情報

出願番号 特願2008-236572
出願日 2008/9/16
出願人 独立行政法人日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2010-070867
公開日 2010/4/2
登録番号 特許第5419001号
特許権者 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
発明の名称 ナノファイバーの製造方法
技術分野 有機材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 ナノファイバー
目的 ナノファイバーの優れた特長を発揮させるため、複数個のナノファイバーが、3次元的に相互接続された状態で基板上に自立して形成されていると共に、形成されたナノファイバーの一端が基板表面に固定された、飛散等が無い安全なナノファイバー及びその製造方法を提供する。
効果 複数個のナノファイバーが互いに立体的に接続されている上、それらのナノファイバーの一端が基板表面に固定されているので、大気環境中に飛散しない、安全性の高いナノファイバー及びその製造方法が得られる。
技術概要
基板上の高分子薄膜内にイオンビームを照射し、多数の円筒架橋部を形成した後、基板ごと溶媒で洗浄して得られるナノファイバーは、ナノファイバーが3次元的に相互接続されていると共に、ナノファイバーの一端が、基板の表面に固定されている。高分子薄膜はセラミック前駆体である高分子の薄膜であり、不活性ガス中でセラミックに焼成されたナノファイバーである。基板上に高分子薄膜を形成し、この高分子薄膜に対して、飛跡が基板に到達可能なイオンビームを複数の方向から照射し、高分子薄膜内に、3次元的に相互接続され、かつ一端が基板表面に固定されている複数個の円筒架橋部を形成した後、これらを溶媒で洗浄する又はこれらを溶媒に浸漬させ、溶媒の凝集により3次元的に相互接続された構造を形成する、夫々のナノファイバーの製造方法である。高分子薄膜の厚さを調整してナノファイバーの長さを制御する。イオンビームの強度を調整してナノファイバーの太さを制御する。高分子薄膜はセラミック前駆体である高分子の薄膜であり、最終工程において不活性ガス中でセラミックに焼成する。自立ナノファイバーの製造工程の一例を示す模式図である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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