半導体基板およびその製造方法

開放特許情報番号
L2010004805
開放特許情報登録日
2010/8/27
最新更新日
2010/8/27

基本情報

出願番号 特願2003-159888
出願日 2003/6/4
出願人 株式会社デンソー
公開番号 特開2004-214596
公開日 2004/7/29
登録番号 特許第4135564号
特許権者 株式会社デンソー
発明の名称 半導体基板およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体基板
目的 素子機能を十分に発揮させることができ、しかも十分な強度を得ることが可能な厚い絶縁物層を有し、かつ基板の反りや結晶欠陥、転位が発生しにくく、高い集積度の回路を実現可能な半導体基板およびその製造方法を提供する。
効果 厚い熱酸化物層にて素子機能を十分に発揮させることができ(例えば、受動素子に対する寄生容量及び寄生抵抗を十分に低減することができ)、しかも第1の素子を空中配線構造としていないので十分な機械的強度を得ることが可能となる。また、多結晶半導体が第2の素子形成工程における熱ストレスの吸収層として働くため、基板の反りや結晶欠陥、転位の発生を抑制でき、第2の素子の動作不良を防止できる。これによりデッドスペースを少なくでき、高い集積度の回路を実現することができる。
技術概要
図1は半導体基板100の縦断面図であり、図2は半導体基板100の平面図である。図1に示すように、シリコン基板1の一方の表面側(素子形成面側)においてその一部領域に厚い熱酸化物層2が形成される。熱酸化物層2は図2に示すように、四角形状をなしている。図1、2に示すように、熱酸化物層2の内部には溝3が形成され、この溝3は熱酸化物層2の外周面2aから内方において外周面2aに沿って延びている。つまり、溝3は平面形状として四角環状をなしている。この溝3には多結晶シリコン(多結晶半導体)4が充填されている。即ち、熱酸化物層2の内部において熱酸化物層2の外周面2aの近傍には多結晶シリコンによる壁4が埋設される。半導体装置として高周波モノリシックICに具体化しており、図3は高周波モノリシックICの一部分での縦断面図を示す。このモノリシックICでの半導体基板100において、厚い熱酸化物層2がその上に受動素子を配置するための絶縁物となる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 株式会社デンソー

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT