光陰極半導体素子

開放特許情報番号
L2010004627
開放特許情報登録日
2010/8/20
最新更新日
2015/6/24

基本情報

出願番号 特願2008-278867
出願日 2008/10/29
出願人 独立行政法人理化学研究所
公開番号 特開2010-108722
公開日 2010/5/13
登録番号 特許第5267931号
特許権者 国立研究開発法人理化学研究所
発明の名称 光陰極半導体素子
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 加速器、電子顕微鏡、逆光電子分光法などの電子源
目的 超格子構造を利用して電子のエネルギー状態を単色化させ、量子効率を向上させることで、所望の超高輝度性能を達成するのに好適な光陰極半導体素子の提供。
効果 本技術によれば、超格子構造を利用して電子のエネルギー状態を単色化させ、量子効率を向上させることで、所望の超高輝度性能を達成するのに好適な光陰極半導体素子を提供することができる。
技術概要
この技術では、光陰極半導体素子は、第1半導体からなる井戸層と、第1半導体よりバンドギャップが大きい第2半導体からなる障壁層と、が複数交互に積層した超格子構造を備え、井戸層および障壁層のそれぞれの厚さは、超格子構造の電子のエネルギー状態において伝導帯に生ずるミニバンドの下限と、価電子帯に生ずるミニバンドの上限と、の間のバンドギャップが所望の大きさとなる厚さを上限とし、伝導帯に生ずるミニバンドのバンド幅と、ミニバンド内のエネルギー状態密度と、が所望の大きさとなる厚さを下限とするように構成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 実施許諾の可否・条件に関する最新の情報は、(独)理化学研究所連携推進部 知財創出・活用課までお問合せ下さい。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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