量子ドット半導体光増幅器

開放特許情報番号
L2010004444
開放特許情報登録日
2010/8/6
最新更新日
2011/12/22

基本情報

出願番号 特願2010-116932
出願日 2010/5/21
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-243891
公開日 2011/12/1
発明の名称 量子ドット半導体光増幅器
技術分野 情報・通信、電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 光増幅器
目的 この発明は、高速光通信で所望される、1.3μm帯用で狭い帯域を増幅することができる光増幅器を提供する。
効果 この発明によれば、半導体増幅器の活性層の量子ドット構造の量子ドットを高密度かつ高均一化することで、狭い帯域を増幅できる。また、40Gbpsや100Gbpsイーサーネットの規格に対応した通信波長帯1.3μm帯の光増幅特性を有しており、増幅帯域が30nm以下と狭いため、フィルター機能を有する増幅器として有用である。
技術概要
従来、通信用光増幅器には半導体タイプと光ファイバータイプがあり、従来の半導体光増幅器は、光ファイバー通信で主要である1.55μm帯であり、波長多重通信に適応した広帯域であることや、増幅の大きなハイパワーであること等の特性が重視されてきた。しかし、従来の量子ドット構造の半導体光増幅器は広帯域増幅であり、量子ドットのサイズばらつきを大きくして、広い波長帯域を目的とするものであったため、次世代の光増幅器として使用することができないという問題があった。この発明の量子ドット半導体光増幅器は、N−GaAs基板1上に、N−AlGaAsクラッド層2、量子ドット活性層3、P−AlGaAsクラッド層4、P−GaAsコンタクト層5の順で構成される量子ドット構造を設け、活性層3を均一な量子ドットで構成することにより、波長1.3μm帯用の半値幅30nm以下の狭帯域用半導体光増幅器が得られる。そして、注入電流により、利得波長以外の波長を減衰させることができ、また偏向状態をスイッチングすることができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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