ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子

開放特許情報番号
L2010004438
開放特許情報登録日
2010/8/6
最新更新日
2015/9/30

基本情報

出願番号 特願2010-112133
出願日 2010/5/14
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-243632
公開日 2011/12/1
登録番号 特許第5552638号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びこれを利用したメモリ素子
技術分野 情報・通信、電気・電子、その他
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 電界効果トランジスタ、メモリ素子
目的 この発明は、電気二重層法を用いてチャンネルに高濃度の電荷注入を行うことで抵抗を変化させる電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタをスイッチング素子として利用したメモリ素子を提供する。
効果 この発明のFETによれば、上記複合酸化物からなるチャンネル層への電荷注入によって、該チャンネル層の電気抵抗率が著しく変化するので、メモリ機能を備えた高性能のFETを提供することが可能となる。
技術概要
固体誘電体層をゲート絶縁体として利用し、シリコン半導体等のチャンネル層の導電率を制御する構造の電界効果トランジスタ(FET)は、多数製造されている。このFETの一例である薄膜トランジスタは、電子回路中でスイッチング素子として広く使用されている。このような構造の従来のFETを用いた電子回路において、性能向上のためにFETのチャンネル長を短くする等の微細化を行って集積度を高くすると、それに伴ってチャンネルあたりのドーパントの数が減少する。このキャリアの数が減少すると、素子ごとの特性のばらつきが深刻になり、信頼性を揺るがす大きな問題となってしまう。この発明の電界効果トランジスタは、ペロブスカイト構造を有し且つ化学式がA↓1↓―↓xB↓xNiO↓」3(但し、Aは希土類元素から選択された1種類の元素で、BとしてA以外の少なくとも1種類の希土類元素である。xは0≦x≦1を満たす実数)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層に用いることを特徴とするものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT