ゾル−ゲル法によって作製した半導体ナノ粒子分散蛍光性微粒子

開放特許情報番号
L2010004429
開放特許情報登録日
2010/8/6
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2011-547518
出願日 2010/12/17
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2011/081037
公開日 2011/7/7
登録番号 特許第5682069号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ゾル−ゲル法によって作製した半導体ナノ粒子分散蛍光性微粒子
技術分野 有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 照明、ディスプレイ、輝度、演色性、蛍光プローブ、生命の仕組みの解明、病気の診断
目的 水分散性のCdSeナノ粒子(クエン酸コート)を作製し、それを複数個、シリカガラス微粒子中に導入した研究も知られているものの、水分散性のCdSeナノ粒子は発光効率が0.1〜0.15%と極端に低いことに鑑み、耐久性が高く、多数の高発光効率のナノ粒子を分散した平均粒径20〜100nmのシリカガラス系蛍光微粒子の提供。
効果 この蛍光性微粒子は、耐久性があり大きな発光効率を持つ半導体ナノ粒子が相当数分散し、その表面が適切に加水分解したアルコキシドで覆われ、それが適切な大きさの集合体をつくり、さらにその周囲がシリカガラスで覆われているので、高耐久性と高輝度という2つの特徴を持つという効果が得られる。また、20〜100nmという平均粒径であるため蛍光プローブとしてのバイオ分野への応用に適している。
技術概要
この技術は、CdおよびSeを含む半導体ナノ粒子がケイ素を含む微粒子中に分散している蛍光性微粒子であって、ケイ素を含む微粒子の平均粒径が20〜100nmであり、且つ、ケイ素を含む微粒子中に分散している半導体ナノ粒子の数が10個以上である、蛍光性微粒子とする。また、ケイ素を含む微粒子の平均粒径が40〜100nmであり、且つ、ケイ素を含む微粒子中に分散している半導体ナノ粒子の数が20個以上であるとよい。作製工程は、1.半導体ナノ粒子の作製、2.ナノ粒子の被覆、3.ナノ粒子集合体の形成および4.集合体のガラス被覆による蛍光性微粒子の作製の4つからなる。また、必要に応じて5.蛍光性微粒子の表面修飾の工程を行ってもよい。電子材料とする場合には、第2工程、第3工程または第4工程で止めればよい。電子材料においてナノ粒子に電子を流す用途では、表面のガラス層、さらにその表面の官能基は不要である場合がある。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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