| 出願番号 |
特願2004-371534 |
| 出願日 |
2004/12/22 |
| 出願人 |
国立大学法人電気通信大学 |
| 公開番号 |
特開2006-176837 |
| 公開日 |
2006/7/6 |
| 登録番号 |
特許第5050188号 |
| 特許権者 |
国立大学法人電気通信大学 |
| 発明の名称 |
結晶粒微細化加工方法 |
| 技術分野 |
金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
金属材料加工素材、結晶粒微細化加工方法、析出強化合金、分散強化合金 |
| 目的 |
高密度集積化したＬＳＩにおいて、プリント基板や、リードフレーム等において用いられる配線は、微細化のために、断面積が小さくなって行く傾向にあり、電気抵抗が増加したり、温度の上昇が生じたり、強度が低下して断線し易くなったりする問題がある。強ひずみ加工法や加工熱処理法により結晶粒を微細化する方法が提案されているが、結晶粒の下限が存在する、大量生産には向かないといった問題がある。そこで、大量生産に適合するような加工方法を用いることで、サブミクロンオーダの結晶粒を得られるようにした結晶粒微細化加工方法を提供する。 |
| 効果 |
冷間又は温間低ひずみ加工ステップ及びこれに続く温間回復処理ステップを含む加工サイクルを複数サイクル繰り返すことにより、金属材料加工素材の結晶粒を、再結晶を発現させずに微細化加工することができる。この方法は析出強化合金又は分散強化合金でなる金属材料の結晶粒を微細化する場合に利用できる。 |
技術概要
 |
結晶粒微細化加工方法、特に金属材料を大量生産する際に適用して好適な結晶粒微細化加工方法に関する。この結晶粒微小化加工方法は、金属材料加工素材を冷間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する低ひずみ加工ステップと、この低ひずみ加工ステップに続いて、金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる温間回復処理ステップとを含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、金属材料加工素材の結晶粒を微小化加工することからなる。更に、この冷間雰囲気内でひずみ加工する低ひずみ加工ステップを、温間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する低ひずみ加工ステップとする結晶粒微小化加工方法、更には、冷間雰囲気内で行う第１の低ひずみ加工ステップと第１の温間回復処理ステップとを含む第１の加工サイクルと、温間雰囲気内で行う第２の低ひずみ加工ステップと第２の温間回復処理ステップとを含む第２の加工サイクルと、を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返す結晶粒微小化加工方法が提供される。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
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