量子半導体装置およびその製造方法

開放特許情報番号
L2010004323
開放特許情報登録日
2010/8/6
最新更新日
2010/8/6

基本情報

出願番号 特願2004-244210
出願日 2004/8/24
出願人 国立大学法人電気通信大学
公開番号 特開2006-066463
公開日 2006/3/9
登録番号 特許第4500963号
特許権者 国立大学法人電気通信大学
発明の名称 量子半導体装置およびその製造方法
技術分野 情報・通信、電気・電子、機械・加工
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 量子半導体装置
目的 この発明は、個別の量子ドットに対する局所的なキャリアの注入、取り出しを可能にする量子半導体装置を提供する。
効果 この発明の装置によれば、量子半導体デバイスにおいて、個別の量子ドットに対する局所的なキャリアの出し入れが可能になる。また、トンネル電流を利用した微細な配線構造が可能になる。
技術概要
量子ドットの光電子デバイスへの応用がなされているが、3次元的なキャリアの閉じ込め構造である量子ドットは、キャリアの一次元的な閉じ込めである量子井戸構造や、二次元的な閉じ込めである量子細線構造と比較して、キャリアのエネルギスペクトルが非常に鋭く、離散的になる。室温においても、キャリアの遷移が量子準位間で不連続に生じ、鋭い発光スペクトルを得ることができる。しかし、ナノメータオーダの量子ドットに対し、個々に電極配線を施すことは、極めて困難である。この発明の量子半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に位置する第1の量子ドットと、第1の量子ドットを埋め込む第1の半導体結晶層と、第1の半導体結晶層上に位置するコンタクト用の第2の量子ドットと、第2の量子ドットを埋め込む第2の半導体結晶層と、第2の半導体結晶層において、第2の量子ドットに接続する自己形成ナノホール内に形成されるナノホール電極とを有する。この様にこの発明では、量子ドットと、ナノホール形成技術とを組み合わせ、量子ドットの一部をコンタクトあるいはアクセス電極として利用することにより、微小な量子ドット配線構造を実現している。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT