レベルコンバータ回路を備えたMOSトランジスタ回路

開放特許情報番号
L2010004091
開放特許情報登録日
2010/7/16
最新更新日
2015/9/30

基本情報

出願番号 特願2010-067481
出願日 2010/3/24
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-199814
公開日 2011/10/6
登録番号 特許第5414060号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 レベルコンバータ回路を備えたMOSトランジスタ回路
技術分野 情報・通信、電気・電子、その他
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、その他
適用製品 論理回路、論理集積回路、MOSトランジスタ回路
目的 この発明は、動作上の欠点を除去し、また、用いるトランジスタ数が少ない静的動作のレベルコンバータ回路を備えたMOSトランジスタ回路を提供する。
効果 この発明のLC回路は、高電源電圧回路側の第一のCMOSインバータ一個であるからトランジスタ数は2個と少なく、従来のものと比較して素子面積の低減や消費電力の低減ができる。また、局所部分回路に用いても、それによる素子面積増加割合と消費電力の増加割合を従来よりも小さくできる。
技術概要
絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いた論理集積回路では、動作速度を損なうことなく消費電力の低減化を図ることが望まれる。そのための方法の一つとして、動作速度が遅くてよい部分回路の電源電圧を、他の高速動作しなければならない部分の電源電圧より小さくすることがある。この場合、電源電圧の小さい低電源電圧回路からの低論理信号振幅の論理信号で、高論理信号振幅の信号で動作している電源電圧の大きい高電源電圧回路を論理的に誤ることなく駆動しなければならない。しかし、従来のレベルコンバータ(LC)回路では、ハイレベルからローレベルへの切替えが出来ない場合があった。この発明のLC回路は、高電源電圧回路側の第一のCMOSインバータの遷移領域TRHが、低電源電圧回路側の第二のCMOSインバータの出力論理信号の変化範囲に含まれるように、第一のCMOSインバータと第二のCMOSインバータの動作を設定し、第一のCMOSインバータをレベル変換回路とし、第一のCMOSインバータを第二のCMOSインバータの出力で駆動するように構成したものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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