半導体レーザー装置

開放特許情報番号
L2010004071
開放特許情報登録日
2010/7/16
最新更新日
2015/9/30

基本情報

出願番号 特願2010-058946
出願日 2010/3/16
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-192878
公開日 2011/9/29
登録番号 特許第5366149号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体レーザー装置
技術分野 情報・通信、電気・電子、その他
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 光通信、光インターコネクション等に用いられる半導体レーザー装置
目的 この発明は、半導体レーザー装置に関して、入出力特性の温度依存性及び出力波長の温度依存性が小さく、出力波長の動的な微調整が可能な半導体レーザー装置を提供する。
効果 この発明の半導体レーザー装置では、発光体として、量子ドットを用いている。ここで、量子ドットは、キャリアを3次元的に閉じ込めることができるため、温度上昇に伴う特性劣化を避けられるという特長がある。従って、量子ドットの導入により、発光体の温度依存性を低減することが可能となる。また、化合物半導体は、有機ポリマーによるウエハ接合法を用いて、デバイス支持基板上に、ハイブリッド集積される。ここで、有機ポリマーによるウエハ接合法は、表面に凹凸を有する基板同士の接合が可能であるという特長がある。
技術概要
近年、情報伝送の高速化に伴い、電気配線における伝送遅延、消費電力が深刻な問題となっており、現在、シリコンフォトニクス技術を用いた高速、低消費電力な情報伝送の実現が望まれている。しかし、第一の問題点として、入出力特性の温度依存性が大きいことが挙げられる。第二の問題点として、出力波長の温度依存性が大きいことが挙げられる。第三の問題点として、出力波長を動的に微調整できないことが挙げられる。この発明の半導体レーザー装置は、構成要素として、半導体レーザー装置の発光体として機能する量子ドットを有する化合物半導体と、該量子ドットへの電流注入のためのp型化合物半導体、n型化合物半導体、p型電極、n型電極、及び各電極と接続された配線と、この化合物半導体に形成されたグレーティング構造と、半導体レーザー装置の動的調整機構を構成するシリコン板、電気配線と、化合物半導体とシリコン板との間に設けられた半導体レーザー装置のクラッドとして機能する有機ポリマーと、シリコン板を支持する低屈折率絶縁性材料と、デバイス支持基板とを含むことを特徴とするものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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