圧電センサ

開放特許情報番号
L2010004053
開放特許情報登録日
2010/7/16
最新更新日
2015/6/25

基本情報

出願番号 特願2010-049764
出願日 2010/3/5
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-185681
公開日 2011/9/22
登録番号 特許第5721126号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 圧電センサ
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 加速度センサ、圧力センサ
目的 薄層化が可能であり、高周波の作用により強い電磁ノイズが発生するため従来は利用できなかった環境であっても使用可能な圧電センサの提供。
効果 本技術によれば、第1圧電体膜および第2圧電体膜または誘電体膜にて検出される検出信号の最大振幅に関する検出能を向上させることができ、各部材の積層構造によって圧電センサの薄型化を実現できる。また、第1圧電体膜、および、第2圧電体膜または誘電体膜を備える差動型の構造であるため、ノイズを有意なレベルまで低下させることが困難な高周波電源を利用する環境下であっても信号の検出が可能であるという効果を奏する。
技術概要
本技術は、第1圧電体膜、第1電極、絶縁体層、第2電極、および、圧電体膜と同一の比誘電率および静電容量を有する、第2圧電体膜または誘電体膜が積層された圧電センサであって、第1圧電体膜と第2圧電体膜とは同一の極性面を対向させて配置され、絶縁体層の層方向の面積は、第1圧電体膜の層方向の面積と同じかまたは小さく、かつ、第2圧電体膜または誘電体膜の層方向の面積と同じかまたは小さい。これにより、第1圧電体膜、および、第2圧電体膜または誘電体膜に加わる設置圧力をより効果的に大きな状態にして圧電センサを設置することができる。その結果、第1圧電体膜および第2圧電体膜または誘電体膜にて検出される検出信号の最大振幅に関する検出能を向上させることができ、しかも各部材の積層構造を有することによって薄型の圧電センサを実現できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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