光電変換装置の製造方法

開放特許情報番号
L2010004044
開放特許情報登録日
2010/7/16
最新更新日
2015/9/30

基本情報

出願番号 特願2010-045707
出願日 2010/3/2
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-181768
公開日 2011/9/15
登録番号 特許第5339294号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光電変換装置の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 薄膜シリコン系太陽電池
目的 結晶質シリコンゲルマニウムを主とするi層中のゲルマニウム濃度を高めた場合であっても、発電電流量の減少を抑制し、長波長領域における高い発電特性を示す光電変換装置の製造。
効果 本技術によれば、結晶質シリコンゲルマニウムi層の製膜時に所定量の不純物ガス(主に酸素)を添加することによりゲルマニウムのp型欠陥準位を低減する。その結果、結晶質シリコンゲルマニウムi層に含まれるゲルマニウム濃度が高くなった場合でも、高い発電電流が得られる光電変換装置を製造することができる。
技術概要
この技術は、透明導電膜付きの基板上に、p層、結晶質シリコンゲルマニウムi層、及びn層を積層してなるpin接合またはnip接合を備えた光電変換層を有する光電変換装置の製造方法であって、ゲルマニウム濃度が10原子%以上50原子%以下の結晶質シリコンゲルマニウムi層をプラズマCVD法によって製膜する製膜工程を有し、製膜工程が、酸素含有不純物ガスを、シリコン系ガス流量とゲルマニウム系ガス流量との和に対して酸素含有不純物ガスを添加しない場合よりも量子効率スペクトルの面積が大きくなるような割合で添加し、結晶質シリコンゲルマニウムi層に含まれる酸素の濃度を制御する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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