ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合素子およびその製造方法ならびに金属細線およびその形成方法

開放特許情報番号
L2010003913
開放特許情報登録日
2010/7/16
最新更新日
2013/12/20

基本情報

出願番号 特願2009-534258
出願日 2008/8/28
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 WO2009/041239
公開日 2009/4/2
発明の名称 ニッケル薄膜の形成方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、有機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 磁気抵抗素子、素材製造装置
目的 この発明は、有機材料からなる基板上にニッケル薄膜および強磁性ナノ接合素子等を形成する方法を提供する。
効果 この発明の装置によれば、ポリエチテンナフタレートのような有機材料の表面に、ニッケル薄膜形成することによって表面を平坦化させることができ、ニッケル薄膜のエッジ同士が互いに対向するように交差させて接合することによって、強磁性ナノ接合を用いた磁気抵抗素子等を形成することができる。
技術概要
有機材料からなる基板は、軽量で柔軟性を有するので、この特徴を生かしてこの基板上に金属薄膜を形成する技術の重要性が高まっている。しかし、有機材料の表面の凹凸を完全に除去するような、平坦な金属薄膜を形成することは困難であった。この発明は、ポリエチレンナフタレート基板にニッケル金属の薄膜を形成させることによって平坦面を得るものである。この方法を用いると、1.3nmの表面粗さを有するポリエチレンナフタレートの基板に、ニッケル金属を蒸着法などにより2nm以上薄膜を形成すると、薄膜の表面粗さは次第に改善されて、薄膜の厚みを増加させることにより、薄膜表面の粗さが減少してくることが確認されている。具体的に述べると、ポリエチレンナフタレート基板上に真空蒸着法などによりニッケル薄膜を、例えば2nm以上の厚さに成膜する。そしてポリエチレンナフタレート基板上にニッケル薄膜を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのニッケル薄膜のエッジ同士が互いに対向するように交差させて接合することにより強磁性ナノ接合を用いた磁気抵抗素子を構成する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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