ナノ構造体及びその製造方法

開放特許情報番号
L2010003857
開放特許情報登録日
2010/7/9
最新更新日
2015/12/4

基本情報

出願番号 特願2008-278279
出願日 2008/10/29
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2010-109065
公開日 2010/5/13
登録番号 特許第5717079号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 ナノ構造体及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 発光デバイス、電子デバイス、半導体デバイス
目的 ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とするナノ構造体及びその製造方法、表面改質を実現するナノ構造体及びその製造方法、およびナノ構造同士の干渉を防止するナノ構造体及びその製造方法の提供。
効果 この技術によれば、ナノ構造体の所定の界面に薄膜層を挿入するサンドイッチサブナノ構造体を形成することで、階層間で生じる原子同士の干渉を抑制し、ナノ構造体の表面改質を実現させることができる。こうすることで、デバイスの高効率化が図れる。すなわち、量子井戸、量子細線及び量子ドット等に代表されるナノ構造の界面に新たに設計されたサブナノ構造をサンドイッチすることにより、複数のナノ構造のそれぞれの品質・形状を高品質な状態に維持することが可能であり、品質と形状の改善を図ることができる。
技術概要
この技術は、所望とする複数のナノ構造の品質・形状を高品質に保つために、ナノ構造間の界面に適切に設計されたサブナノ構造をサンドイッチすることで界面状態を制御するようにしたもので、この技術のナノ構造体は、ホスト材料内にゲスト材料として複数のナノ構造を内包させる半導体デバイスにおいて、ゲスト材料の間に新しいサブナノ構造がサンドイッチされていることを特徴とする。ナノ構造体とは、構造の1つの軸方向の長さが略50nm以下である構造を指し、具体的には、量子ドット構造、量子細線構造及び量子井戸構造のうち少なくとも一つを示す。ナノ構造体を生成するには、分子線エピタキシャル装置及び/もしくは有機金属気相堆積法を利用し、結晶をエピタキシャル成長させることが必要である。また、この技術は、半導体基板上に、ホスト材料層を形成し、ホスト材料層上に単数もしくは複数層のゲスト材料による第1のナノ構造体層を形成し、第1のナノ構造体層の上に薄層のサンドイッチサブナノ構造層を形成し、サブナノ構造層上に単数もしくは複数層のゲスト材料による第2のナノ構造体層を形成しているナノ構造体製造方法を提供する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT